电子线路PPT(梁明理)第五版第一章.ppt

模拟电子线路;绪论;第一章

根本半导体器件;现代电子学中，用的最多的半导体是硅Si(14)和锗Ge(32)，它们的最外层电子〔价电子〕都是四个。;在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子与其相临的原子之间形成共价键，共用一对价电子。;硅和锗的共价键结构;共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。;1.本征半导体的特点;+4;2.本征半导体的导电机理;温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。;1.1.2杂质半导体;P型半导体中，空穴为多数载流子，自由电子为少数载流子。;1.1.3PN结的形成;PN结形成过程分解：;1、外加正向电压;2、外加反向电压;PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；;二极管的结构及符号;(3)平面型二极管;半导体二极管图片;;螺丝一端为正极;1.PN结的伏安特性;PN结的伏安特性曲线;当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为PN结的反向击穿。;硅二极管2CP10的V-I特性;3.理想二极管的特性;4.稳压二极管;1.2.3二极管的主要参数;1.限幅电路：

限幅是指输出信号的幅度受到规定电压〔限幅电压〕的限制。

单向限幅电路：如12页图;2.稳压电路;1.3半导体三极管

〔双极型晶体管〕;1.3.1晶体管的结构及符号;结构特点：;1.晶体管内部载流子的传输过程〔以NPN为例〕;2.晶体管直流电流传输方程;根据;共集电极接法:集电极作为公共电极;3.三极管的三种组态;vCE=0V;(3)输入特性曲线的三个局部;iC=f(vCE)?iB=const;1.3.4BJT的主要参数;(2)共发射极交流电流放大系数β

β=?IC/?IB?vCE=const;(2)集电极发射极间的反向饱和电流ICEO

ICEO=（1+）ICBO;(1)共发射极截止频率fβf↑→β↓;(1)集电极最大允许电流;§1.4场效应管

〔单极型晶体管〕;1.4.1结型场效应管〔以N沟道JFET为例〕;2.工作原理;漏-源电压对漏极电流的影响;g-s电压控制d-s的等效电阻;〔2〕转移特性曲线(iD与vGS的关系曲线);1.4.2绝缘栅型场效应管;增强型MOS管uDS对iD的影响;2.耗尽型MOS管的工作特点;3.MOS管的特性曲线;不同类型FET转移特性比较;例题：测得放大电路中4只三极管的直流电位如下图。在圆圈中画出管子，并分别说明他们是硅管还是锗管。;例题：1.14;本课作业：

1.5,1.8,1.14