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本公开涉及一种测量图形及其制备方法、测量方法、装置、设备及介质,测量图形包括本体层,本体层包括位于其中部的阵列区及环绕阵列区的外围区;外围区在晶圆上表面的正投影包括环绕阵列区的连续封闭图形,外围区具有标准参数,标准参数包括预设零值偏移量数据;阵列区内包括阵列分布的第一标记单元,第一标记单元具有预设参数,预设参数包括刻蚀校准量方程及晶圆上阵列区内对应位置的预设刻蚀偏移量,不同第一标记单元对应于晶圆的阵列区内不同位置;刻蚀校准量方程至少关联于预设参数中部分预设刻蚀偏移量。本公开至少能够有效地避免利用
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117369216A
(43)申请公布日2024.01.09
(21)申请号202210764037.6
(22)申请日2022.06.30
(71)申请人长鑫存储技术有限公司
地址23
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