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本申请属于芯片设计技术领域,公开了一种多电压区域衬底偏置结构,包括衬底零偏区域和衬底偏置区域;衬底零偏区域和衬底偏置区域均包括多条接触单元阵列;衬底零偏区域的各接触单元阵列中的衬底接触单元均连接到地网络;衬底偏置区域的各接触单元阵列上均设有同相电源线和反相电源线,衬底偏置区域的各衬底接触单元根据自身属性与同相电源线或反相电源线连接;电压产生模块通过同相电源线、反相电源线与多个传感器连接,并根据各传感器获取的环境参数调节同相电源线和反相电源线的电压。本申请能够满足不同电压区域特殊的衬底偏置需求。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117352509A
(43)申请公布日2024.01.05
(21)申请号202311457121.4
(22)申请日2023.11.03
(71)申请人广芯微电子(广州)股份有限公司
地
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