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本公开涉及一种用于形成包括多个包含底部晶体管器件和顶部晶体管器件的堆叠式晶体管器件的半导体器件的方法,包括:在基板上形成多个平行鳍结构;形成跨鳍结构的牺牲栅极;通过外延形成每一底部晶体管器件的底部源极/漏极主体;形成覆盖底部源极/漏极主体的底部虚设接触层;通过外延在底部虚设接触层上形成每一顶部晶体管器件的顶部源极/漏极主体;在底部虚设接触层和顶部源极/漏极主体上沉积绝缘材料;通过替换金属栅极工艺用功能栅极堆叠来替换牺牲栅极;图案化延伸穿过绝缘材料的孔,每个孔暴露出底部虚设接触层的上表面部分;用一
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117316875A
(43)申请公布日2023.12.29
(21)申请号202310644065.9
(22)申请日2023.06.01
(30)优先权数据
92022
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