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2023-12-23 发布于四川
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一种抗双节点翻转加固的SRAM存储单元.pdf

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一种抗双节点翻转加固的SRAM存储单元，包括4个PMOS晶体管和10个NMOS晶体管，PMOS晶体管P1、P2、P3和P4与VDD相连，NMOS晶体管N1、N2、N3和N4与GND相连，NMOS晶体N9、N10为读写管；插入4个NMOS晶体管N5、N6、N7和N8后，存储单元中的存储节点Q、QB、S0和S1全部由NMOS晶体管包围；Q通过N9连接到BL，QB通过N10连接到BLB，N9和N10由WL控制。通过引入冗余存储节点和减少存储单元中敏感节点种类的方式，提高SRAM存储单元的抗单粒子翻转能

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117275545A

(43)申请公布日2023.12.22

(21)申请号202311201011.1

(22)申请日2023.09.18

(71)申请人北京轩宇空间科技

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