QFN封装工艺流程.ppt

QFN工艺流程QFN封装工艺流程：常规QFN封装总厚度为:550~750微米磨片贴膜划片烘烤贴片(装片)后贴膜焊线晶圆QAFrontOfLine（FOL）前道EndOfLine（EOL）后道塑封固化电镀打印切割第2道光检第3道光检第4道光检包装

QFN封装前道FrontOfLine（FOL）QFN封装前道工艺流程：磨片贴膜划片烘烤贴片(装片)焊线晶圆QA第2道光检第3道光检waferIQCQA（QualityAssurance，品质保证）：Wafer来料会在仓库拆包后进入产线IQC（IncomeQualityControl，来料品质管控）工序进行检查;QC和QA的主要区别是：前者是保证产品质量符合规定，后者是建立体系并确保体系按要求运作，以提供内外部的信任。常见质量（IQC）：直径（目测）、碎片（目测）、崩边（卡尺）、凹坑（目测）、玷污（目测）、裂痕（卡尺）、背面划伤（卡尺）、芯片正面划伤（显微镜）、平整度（塞矩）、中心厚度（测厚仪）

工艺目的：利用真空将wafer固定在高速旋转的研磨盘上,使用旋转的研磨轮将wafer研磨到所需厚度工艺过程：1.先在wafer正面taping以保护电路；2.研磨盘吸住wafer,然后磨轮高速旋转对wafer背面进行研磨,同时用DIwater清理；3.去tape后测量厚度QFN封装前道FrontOfLine（FOL）磨片贴膜划片烘烤贴片(装片)焊线晶圆QA第2道光检第3道光检Backgrind(背面减薄)QFN封装前道工艺流程：常见质量：1.研磨印(可能原因：磨轮有异物，过大的金刚石颗粒等)；2.chipping(可能原因：磨轮质量等)；3.TTV,晶圆内总厚度偏差=厚度最高值-厚度最小值。TTV值越小,wafer表面均匀度越好(可能原因：平台表面清洁度，磨轮质量，磨削参数设置等)；4.进水(可能原因：taping时有gap,BG水流量问题等)

QFN封装前道FrontOfLine（FOL）磨片贴膜划片烘烤贴片(装片)焊线晶圆QA第2道光检第3道光检QFN封装前道工艺流程：晶圆保护膜（Dicingtape）切割（WaferSaw）工艺目的：使用金刚砂粒非常小的刀片,安装在高速旋转的锭子上根据wafer上的切割道对wafer进行切割成单个的die,同时用去离子水进行清洗工艺过程：1.将wafer粘帖在mylar蓝膜上,防止在切割时晶粒散落；2.用Sawblade沿wafer切割线将wafer切割成单个的晶粒,同时冷却液清理wafer常见质量：1.Chipping(可能原因：刀具转速过快，DIwater不够等)；2.Saw道偏移(可能原因：参数设置，校准不准确等)。注意事项:1.划片时,先在切割道上切出一条痕迹,然后再半切割,最后全切割,直至将wafer完全切开；2.去离子水的作用,清洗切割道和冷却刀片；3.通常需要切入mylar蓝膜10-20um,以保障晶粒完全切割开

QFN封装前道FrontOfLine（FOL）磨片贴膜划片烘烤贴片(装片)焊线晶圆QA第2道光检第3道光检QFN封装前道工艺流程：第2道光检（FOL）工艺目的：针对WaferSaw之后在显微镜下进行Wafer的外观检查，是否有出现废品二光（2ndOpticalInspection）第3道光检（FOL）工艺目的：针对DieAttach和WireBond之后对产品外观进行检查，是否出现废品第4道光检（EOL）工艺目的：对产品外观进行检查。主要针对EOL工艺可能产生的废品：例如Molding缺陷，电镀缺陷和Trim/Form缺陷等

QFN封装前道FrontOfLine（FOL）磨片贴膜划片烘烤贴片(装片)焊线晶圆QA第2道光检第3道光检QFN封装前道工艺流程：工艺目的：利用epoxy银浆将die粘帖在lead-frame上,然后在oven中加热使之固化工艺过程：1.Ejector顶针将一颗颗die从wafer上顶起；2.由pickup吸嘴将顶起的die吸住，然后以一定的力量将die粘贴在点有epoxy银浆的LeadFrame的Pad上；3.将贴上die的L/F放入oven，在175°的条件下进行烘烤1hrs，完成固化，同时消除应力常见质量：1.粘帖位置:die在leadframe上X-Y位置不超过+/-4miles；2.Die倾斜:＜0.9miles；3.Epoxyvoid:单个void面积占整个die面积的比例＜5%,Void总体面积＜20%；4.Epoxyondie；注意事项：1.Epoxy胶需保存在-45°±5°条件下,使用前需回温2hrs；2.确保FIFO（先进先出）生产原则固晶（DieAttach/Dieb