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提供用于光掩模的表膜、包括其的掩模版、和用于光刻的曝光设备。所述表膜可包括表膜膜片,并且所述表膜膜片可包括纳米晶体石墨烯。所述纳米晶体石墨烯可具有缺陷。所述纳米晶体石墨烯可包括多个纳米级晶粒,并且所述纳米级晶粒可包括具有芳族环结构的二维(2D)碳结构。所述纳米晶体石墨烯的缺陷可包括如下的至少一种:sp3碳原子、氧原子、氮原子、或者碳空位。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN108121153A
(43)申请公布日
2018.06.05
(21)申请号20171
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