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本发明公开一种具有界面双层的单晶硅/钒酸铋集成光电极及其制备方法和应用，利用氧化铟锡(ITO)界面层扩大与Si之间的界面能带偏移，同时与BiVO4形成欧姆接触，为光生电荷的传输提供驱动力。利用氧化铝(Al2O3)界面层作为钝化层，修复ITO与Si之间的界面缺陷，显著降低光生电荷的复合速率。属于光解水制氢技术领域，本发明形成的集成光电极表现出优良的太阳能无偏压水分解效率及超高的稳定性。同时，本发明的制备方法简单易行，可控性强，可实现低成本、大规模的应用。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117248234A
(43)申请公布日2023.12.19
(21)申请号202210653615.9C25B1/55(2021.01)
(22)申请日2022.06.1
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