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本发明公开了一种半导体功率器件的终端保护结构,终端保护结构环绕在主结周侧并包括:多个场限环,由第二导电类型掺杂的第二注入区组成;在各场限环之间、最内侧的场限环和主结的第一注入区之间以及最外侧的场限环外侧都形成有由填充于第一沟槽中的介质层组成沟槽隔离结构。各场限环和第一外延层之间接触形成辅结;辅结的接触面为第一曲面;沟槽隔离结构从第一曲面的两侧对第一曲面进行限制,以降低第一曲面的面积、降低拐角角度和使第一曲面两侧的拐角位置位于第一外延层的顶部表面之下。本发明还提供一种半导体功率器件的终端保护结构的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117253903A
(43)申请公布日2023.12.19
(21)申请号202311218614.2
(22)申请日2023.09.20
(71)申请人民华微(上海)电子科技有限公司
地
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