68411-电力电子技术 模拟试卷一.docx

本题分数24得 分

本题分数

24

得 分

第1页（共9页）

二○一八～二○一九学年 第2学期

考试日期： 年 月 日 试卷类型：A 试卷代号：

班号 学号 姓名

题号

一

二

三

四

五

六

七

八

九

十

总分

得分

一、不定项选择题:(24分)

1.(4’)在下列功率半导体器件中，额定电流根据有效值选择的器件是( )，属于电压控制型的全控器件是( )，适用于高频(数十千Hz)工作的可控型器件是( )，有两种载流子参与导电的全控型器件是( )。

A.晶闸管(SCR)；B.功率二极管；C.功率晶体管(GTR)；D.MOSFET；E.IGBT。

2.(2’)以下关于单相桥式可控整流电路叙述正确的是( )。

晶闸管承受的最大反向电压为(U2为变压器副边电压有效值)；

电阻性负载，控制角α越大，功率因数越高；

大电感负载，且电感无穷大，此时移相范围为90度；

如果把斜对角的两只晶闸管换成两个整流二极管，则容易出现失控现象。

3.(2’)以下关于带平衡电抗器的双反星形整流电路叙述正确的是( )。

变压器不存在直流磁化问题；

适用于高压小电流应用场合；

如将平衡电抗器短路，则整流电压值将会上升；

整流电压波形脉动频率为六倍工频。

第

第PAGE2页（共9页）

(2’)在三相半波逆变电路中，叙述正确的是( )。

若要工作于逆变状态，必须同时触发晶闸管Ta,Tb和Tc；

若在输出端接续流二极管，则不可能实现有源逆变；

为避免因延迟、换相重叠等原因引起的逆变失败，逆变角应留有余量；

换相重叠使输出电压略有降低。

(2’)下列关于MOSFET和IGBT叙述正确的是( )。

IGBT存在电流拖尾，因此关断损耗大；

MOSFET作为开关应用时，导通状态下工作在饱和区；

由于空穴的迁移率比电子迁移率低，大功率MOSFET一般不采用P沟道；

IGBT不存在密勒效应。

(2’)以下关于Boost直流变换器叙述正确的是( )。

电感的作用是滤波；

如需保持输出电压稳定，一般采用脉宽控制方式；

电感电流断续，当负载电流减小时，为维持Ui/Uo不变，需增大占空比；

升压二极管的电流平均值即为负载电流。

A.单端正激变换器；B.推挽变换器；C. 反激变换器；D.半桥变换器；E.全桥变换器。8.(2’)关于功率晶体管的RCD关断缓冲电路，以下叙述正确的是(该关断缓冲电路可大幅提高变换器的效率；该关断缓冲电路一定会恶化开通负载线；增大缓冲电容，其他参数不变，开关管的关断损耗将会变大；当电阻变大，其它条件不变，开关管开通损耗将会变小。(4’)在下列隔离型直流变换器中，变压器工作在单向磁化状态的是( )；变压器工作在双向磁化状态的是( )。晶体管电压应力为输入电压的是( )；无需增加其它辅助电

A.

单端正激变换器；

B.

推挽变换器；

C. 反激变换器；

D.

半桥变换器；

E.

全桥变换器。

8.(2’)关于功率晶体管的RCD关断缓冲电路，以下叙述正确的是(

该关断缓冲电路可大幅提高变换器的效率；

该关断缓冲电路一定会恶化开通负载线；

增大缓冲电容，其他参数不变，开关管的关断损耗将会变大；

当电阻变大，其它条件不变，开关管开通损耗将会变小。

)。

(2’)关于场控器件(MOSFET或IGBT)的驱动电路，下列叙述正确的是( )。

开通过程中，驱动电路必须要能提供足够大的驱动电流；

栅极和源极(或发射极)之间需并接电阻以加速器件导通；

互补式驱动电路中的两只三极管管型(NPN或PNP)相同；

驱动电阻的作用是抑制栅-源极(栅-发射极)之间的高频振荡。

(2’)关于功率变换器中的磁性元件，下列叙述正确的是( )。

反激变换器中磁芯工作轨迹与负载电流有关；

正激变换器中磁芯工作轨迹与负载电流无关；

反激变换器中的变压器如采用铁氧体材料，则必须加气隙；

改变开关频率的设计值对磁性元件体积无影响。

本题分数30得 分二、绘图题(30分

本题分数

30

得 分

(3’)绘制N沟道增强型MOSFET和N沟道IGBT的电工符号图。

(5’)绘制带有RCD缓冲电路的反激变换器电路图。

(6’)半桥式逆变器，负载为纯电感，晶体管为IGBT(晶体管符号仅为示意图，可认为是理想器件，即忽略开关延时)，绘制晶体管和反并二极管的电流波形，并画出晶体管的开通关断负载线。

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