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本发明提供了一种发光二极管制备方法及发光二极管,制备方法包括:提供一衬底,并在衬底表面沉积外延层;对外延层的部分表面进行刻蚀以将外延层分割成电流区和电极区;在电流区表面沉积电流阻挡层,并对电流阻挡层进行曝光显影处理,间隔保留电流区表面中间区域的电流阻挡层,在电流区表面制备ITO导电膜;对ITO导电膜进行CF4气体吹扫,吹扫中的射频功率为140W‑160W或220W‑240W,气压为500Pa‑700Pa,以对ITO导电膜表面进行改性使其表面含F;曝光显影处理后形成电流阻挡区和电流扩展区,在电流阻
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117239028A
(43)申请公布日2023.12.15
(21)申请号202311316713.4
(22)申请日2023.10.12
(71)申请人江西兆驰半导体有
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