碳化硅设备行业深度报告：SiC东风已来，关注衬底与外延环节的材料+设备国产化机遇【勘误版】-东吴证券.pptx

;SiC：需求乘“车”而起，材料设备商迎国产化机遇;投资要点;目录;

项目;数据来源:三菱电机官网，东吴证券研究所;数据来源:Yole，东吴证券研究所;数据来源:爱集微，东吴证券研究所;数据来源:中商产业研究院，亿渡数据，东吴证券研究所;目录;图：碳化硅可根据电化学性质进行分类;图：2020年全球导电型+半绝缘型SiC衬底（左）、导电型衬底（中）、半绝缘型衬底（右）市场格局;2.1.衬底：海外龙头积极扩产，保障8寸碳化硅衬底批量供应;2.1.衬底：国内企业已具备6寸SiC衬底量产能力，正积极布局8寸;数据来源：天岳先进招股说明书，东吴证券研究所;2.1.衬底：我们预计2025年全球6寸碳化硅衬底新增市场空间约380亿元;2.1.衬底：我们预计2025年国内6寸碳化硅衬底新增市场空间约156亿元;图：碳化硅衬底生产流程图;2.2.长晶：碳化硅晶体生长的主流方法是物理气相传输（PVT）;数据来源：晶升股份招股书，上海皓越电炉技术有限公司，东吴证券研究所;2.2.长晶：工艺难点在于温度控制，热场材料仍依赖进口;;数据来源：Yole，东吴证券研究所;2.2.长晶：国内龙头碳化硅单晶炉CR2约80%，设备基本实现国产化;;数据来源：《碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势》，《碳化硅晶圆切割方法综述》等，东吴证券研究所;技术路线;28

数据来源：《线锯切片技术及其在碳化硅晶圆加工中的应用》，《金刚石线锯切割SiC的加工质量研究》，高测股份招股意向书，东吴证券研究所;数据来源：《碳化硅晶圆切割方法综述》等，梅耶博格官网，高测股份招股意向书，东吴证券研究所;数据来源：Synova，DISCO，东吴证券研究所;数据来源：德龙激光，东吴证券研究所;2.3.切片：我们预计到2025年全球切片设备新增市场空间约30亿元;2.3.切片：我们预计到2025年国内切片设备新增市场空间约13亿元;2.3.切片：砂浆切割工艺主要设备供应商：日本高鸟、MeyerBuger等;2.3.切片：金刚线切割工艺主要设备供应商：日本安永、高测股份等;;;2.4.磨抛：研磨初步去除SiC晶片切割中形成的表面刀痕和损伤层;2.4.磨抛：抛光进一步保障表面质量，以满足后续外延器件制造;2.4.磨抛：我们预计2025年全球/国内磨抛设备的???场空间约56/23亿元;2.4.磨抛：高精度要求下设备呈现寡头垄断特点，国产替代有望加速;目录;3.1.外延片：晶体结构优质可控，可分为同质外延异质外延;类型;45;CVD（√）;代表企业：爱思强;48;3.2.外延炉：国外厂商主导，未来2-3年有望快速实现国产替代;厂商;3.2.外延炉：2025年全球/国内SiC-MOCVD新增市场空间约130/57亿元;;3.3.划片：隐形激光切割技术为高硬脆SiC晶圆提供成熟解决方案;3.3.划片：德龙激光、大族激光是唯二国产激光划片设备厂商;3.3.划片：2025年全球/国内激光切割设备新增市场空间约5/2亿元;目录;4.1.晶盛机电：碳化硅外延设备+衬底双轮驱动，打开公司新成长曲线;4.1.晶盛机电：碳化硅外延设备+衬底双轮驱动，打开公司新成长曲线;4.2.迈为股份：泛半导体领域布局研磨切割设备有望率先国产化;4.3.高测股份：“破局”8英寸领域碳化硅全新解决方案赋能产业发展;4.3.高测股份：“破局”8英寸领域碳化硅全新解决方案赋能产业发展;数据来源：德龙激光，东吴证券研究所;数据来源：德龙激光，DISCO，东吴证券研究所;4.5.大族激光：率先推出SiC晶圆激光改质切割设备，引领国产替代;大族激光采用全新激光切片（QCB）技术全方位提升SiC切割效果。QCB切片技术利用高能量密度的脉冲激光，在晶锭或晶圆一定深度的目标平面内，实现非线性吸收为主的无损精准扫描。通过精确的光学设计，扫描激光能够在目标平面引导出基面方向扩展的裂纹阵列；最后利用第三代半导体晶体学上的基面滑移机制来实现高精度、低损伤的晶圆剥离。

大族激光研发的SiC晶锭激光切片机正在客户处做量产验证。公司最新发布的两款设备SiC晶锭激光切片机

（HSET-S-LS6200）、SiC超薄晶圆激光切片机（HSET-S-LS6210），采用全新QCB技术，以切割2cm厚度的

晶锭，分别产出最终厚度350um、175um和100um的晶圆为例，该技术可在原来传统线切割的基础上提升分别

为40％，120％和270％的产能，预计将给业内带来革命性突破。

（风险提示：研发进展不及预期，下游扩产不及预期）

图：QCB技术最高可将SiC晶锭切片产能提升270% ?图：新型SiC晶锭激光切片机已交付客户验证;4.6.北方华创：提供SiC长晶、氧化退火、外延、刻蚀一站式解决方案;SiC长晶炉：一体