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《电子技术基础》练习题库

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第一章思考复习题

1.填空题

(1)半导体中有两种载流子,一种是_______.另一种是

_____.

(2)在N型半导体中,多数载流子是______.在P型半导体

中.主要靠其多数载流子_____导电.

(3)PN结单向导电性表现为:外加正向电压时_______;外

加反向电压时______.。

(4)二极管的反向电流随外界的温度而________.反向电

流越小,说明二极管的单向电性________.一般硅二极管的反向电流

比锗管_______很多,所以电流越小,说明二极管的单向导电性________.一

般硅二极管的反向电流比锗管_______很多,所以应用中一般多选用硅管.

(5)稳压二极管稳压时,应工作在其伏安特性的_______

区.

(6)三级管是一种________控制器件;而场效应管则是一

种______控制器件.

(7)三级管工作在放大区的外部条件是:发射结-_______

位置,集电结_________偏置.

(8)三级管的输出特性分为三个区域,即_________区、

___________区和_________区.

(9)三级管在放大区的特点是:当基极电流固定时,其

_______电流基本不变,体现了三极管的___________特性.

(10)用在电路中的整流二极管,主要考虑两个参数____________

和_______________,选择时应适当留有余地.

(11)在放大区,对NPN型的三极管有电位关

系:Uc___________Ub_______Ue;而对PNP型的管子,有电位关

系:Uc______Ub__________Ue.

(12)根据结构不同,场效应管分为两大类,__________和

___________场效应管.

(13)为实现场子效应管栅源电压对漏极电流的控制作用,结型场

效应管在工作时,栅源之间的PN结必须_______位置.N沟道结型场

效应管的Ucs不能______0,P沟道结型场效应管的Ucs不能___________0.

(14)场效应管的参数__________反映了场效应管栅源电压对漏

极电流的控制及放大作用.

(15)场效应管与三极管相比较,其特点是:输入电阻比较

___________,热稳定性比较_________.

2.选择题

(1)本征半导体,自由电子工业和空穴的数目是________.

①相等②自由电子比空穴的数目多③自由电子比空穴的数目少

(2)P型半导体的空穴数目多于自由电子,则P型半导体呈

现的电性为______.

①负电②正电③电中性

(3)稳压二极管稳压,利用的是稳夺二级管的______.

①正向特性②反向特性③反向击穿特性

(4)用万用表测量二极管的极性,将红、黑表行分别接二极管的

两个电极,若测得的电阻值很小(几千欧以下),则黑表笔所接

电极为二极管的_____.

①正极②负极③不能确定

(5)测得电路中一个NPN型三极管的3个电极电位分别

为:Uc=6V,UB=3v,Ue=,则可判定该三极管工作在_______.

①截止区②饱和区③放大区

(6)三极管的电流放大系数β,随温度的升高会______.

①减小②增大③不变

3.判断题

（1）二极管外加正向电压时呈现很大的电阻，而外加反向电压时

呈现很小的电阻。（）

（2）普通二极管在电路中正常工作时，其所承受的反向电压应小

于二极管的反向击穿电压，否则会使

二极管击穿损坏（）。

（3）三极管工作在饱和状态时，发射结集电结均正向偏置；工作

在截止状态时两个结均向偏置。（）

（4）场效应管的抗干拢能力比三极管差（）

（5）三极管工作时有两