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本发明提供一种无绕扩无氧源沉积硼扩散方法，包括：（1）将硅片置于热丝化学气相沉积设备的反应腔室中，抽真空，通入硅烷、乙硼烷和氢气，在硅片的其中一面沉积掺硼非晶硅层，出腔；（2）将经过步骤（1）处理后的硅片置于硼扩散炉管中，抽真空，通入氮气进行无氧硼扩散；（3）将硼扩散炉管抽真空，氮气吹扫，通入氧气，将经过步骤（2）处理后的硅片进行氧化推结，完成硅片的无绕扩无氧源沉积硼扩散。本发明以掺硼非晶硅层作为无氧硼源，易于硼向硅片中进行扩散，缩短扩硼工艺时间，无B2O3副产物，不会损耗石英件；采用热丝化学气
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117187774A
(43)申请公布日2023.12.08
(21)申请号202311207214.1
(22)申请日2023.09.19
(71)申请人无锡松煜科技有限公司
地址21
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