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培训电子显微分析演示文稿本文档共35页；当前第1页；编辑于星期日\12点5分（优选）培训电子显微分析本文档共35页；当前第2页；编辑于星期日\12点5分如果样品是由的四个小刻面A、B、C、D所组成的，由于?D＞?A=?C＞?B所以?D＞?A=?C＞?B，结果在荧光屏或照片上D小刻面的像最亮；A、C面的亮度相等，稍暗；B小刻面最暗。D本文档共35页；当前第3页；编辑于星期日\12点5分随样品倾斜角?增大，入射电子束激发体积靠近、甚至暴露于表层，激发体积内产生的大量自由电子离开表层的机会增多。因此，样品表面尖棱(A)、小粒子(B)、坑穴边缘(C和D)等部位，在电子束作用下产生比样品其余部位高得多的二次电子信号强度，所以在扫描像上这些部位显示异常亮的衬度。不同刻面相对电子束倾角差异形成形貌衬度本文档共35页；当前第4页；编辑于星期日\12点5分原子序数衬度原子序数衬度是利用对样品微区原子序数或化学成分变化敏感的物理信号作为调制信号得到的一种显示微区化学成分差异的像衬度。背散射电子是入射电子与样品相互作用作用后而又逃离样品表面的那部分电子．通常是弹性散射的结果．背散射通常用背散射电子产额描述：?＝nBSE/nB=iBSE/iB(1)nBSE:背散射电子数，nB：入射电子数,iBSE:背散射电流,iB:入射电流本文档共35页；当前第5页；编辑于星期日\12点5分背散射电子产额随元素原子序数Z的增大而增大。样品表面平均原子序数较大的区域，产生较强的信号，在背散射电子像上显示较亮的衬度。因此，根据背散射电子像(成分像)亮暗衬度可以判别对应区域平均原子序数的相对高低。本文档共35页；当前第6页；编辑于星期日\12点5分背散射电子的产额与样品倾斜角的关系背散射电子也可用于形貌分析本文档共35页；当前第7页；编辑于星期日\12点5分背散射电子检测器由一对硅半导体组成，装在样品上方，将左右两个检测器各自得到的电信号，进行电路上的加、减处理，便能得到单一信息。对于原子序数信息来说，进入左右两个检测器的信号，其大小和极性相同，而对浮雕信息，两个检测器得到的信号绝对值相同，其极性恰相反。根据这种关系，如果将两个检测器得到的信号相加，便得到反映样品的原子序数信息；如果相减，便得到反映样品的浮雕信息。ABA+BA-B成分像形貌像本文档共35页；当前第8页；编辑于星期日\12点5分Ni/Al复合材料20000X形貌信息成分信息本文档共35页；当前第9页；编辑于星期日\12点5分吸收电子也是对样品中原子序数敏感的一种物理信号。由入射电子束与样品的相互作用可知，在一定的实验条件下，入射电子的电流一定，吸收电流与背散射电子电流存在互补关系：Ia=Ii–Ib因此，样品表面平均原子序数高的微区，背散射电子信号强度较高，而吸收电子信号强度较低，背散射电子像与吸收电子像衬度正好相反。本文档共35页；当前第10页；编辑于星期日\12点5分奥氏体铸铁(5.7％Si，19.8％Ni，3.3％Cr)中石墨呈条片状，在背散电子像上石墨条呈现暗的衬度，在吸收电子像上石墨条呈现亮的衬度。本文档共35页；当前第11页；编辑于星期日\12点5分先进的SEM的综合分析功能高分辨成像综合分析-元素分析（X-射线能谱仪，EDS)-晶体学分析（电子背散射衍射仪，EBSD)动态分析：在外场作用下的原位及动态观测-气体压力-环境气氛（水蒸气、惰性气体、反应气体等）-温度及湿度-拉伸环境扫描电镜ESEM+EDS热场发射扫描电镜TFE-SEM+EDS(+WDS)+EBSD一体化分析系统本文档共35页；当前第12页；编辑于星期日\12点5分结构分析——衍射中子衍射、X射线衍射、电子衍射多晶——衍射环TEM单晶——斑点、盘、菊池线电子衍射微区衍射会聚束衍射选区衍射电子背散射衍射会聚束衍射选区衍射TEMSEM本文档共35页；当前第13页；编辑于星期日\12点5分菊池（Kikuchi）线本文档共35页；当前第14页；编辑于星期日\12点5分菊池线的产生入射电子的弹