2023年江苏省苏州市榆林中学高三化学联考试题含解析.docxVIP

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2023年江苏省苏州市榆林中学高三化学联考试题含解析

一、单选题(本大题共15个小题,每小题4分。在每小题给出的四个选项中,只有一项符合题目要求,共60分。)

1.X、Y、Z、W四种短周期元素的原子序数依次增大,X原子的最外层电子数是其内层电子总数的3倍,Y原子的最外层只有2个电子,Z单质可制成半导体材料,W与X属于同一主族.下列叙述正确的是()

A.元素X只能形成一种氢化物:H2X

B.元素W的最高价氧化物对应水化物的酸性比Z的弱

C.原子半径的大小顺序:r(Y)>r(Z)>r(W)>r(X)

D.化合物YX、ZX2、WX3中化学键的类型相同

参考答案:

C

考点:原子结构与元素周期律的关系..

专题:元素周期律与元素周期表专题.

分析:短周期元素X、Y、Z、W的原子序数依次增大,X原子的最外层电子数是其内层电子总数的3倍,X有2个电子层,最外层电子数为6,故X为O元素,W与X属于同一主族,故W为S元素,Y原子的最外层只有2个电子,原子序数大于O元素,故Y处于第三周期,故Y为Mg元素,Z单质可制成半导体材料,Z为Si元素.

解答:解:短周期元素X、Y、Z、W的原子序数依次增大,X原子的最外层电子数是其内层电子总数的3倍,X有2个电子层,最外层电子数为6,故X为O元素,W与X属于同一主族,故W为S元素,Y原子的最外层只有2个电子,原子序数大于O元素,故Y处于第三周期,故Y为Mg元素,Z单质可制成半导体材料,Z为Si元素,

A.X为O元素,可以形成H2O、H2O2,故A错误;

B.非金属Si<S,故元素S的最高价氧化物对应水化物的酸性比Si的强,故B错误;

C.同周期自左而右,原子半径减小,同主族电子层越多原子半径越大,故原子半径Mg>Si>S>O,即rY>rZ>rW>rX,故C正确;

D.MgO中含有离子键,而SiO2、SO3中含有共价键,故D错误;

故选:C.

点评:本题考查结构性质与位置关系、元素周期律、化学键等,难度不大,推断元素是解题的关键,注意对基础知识的理解掌握.

2.分类是学习和研究化学的一种常用的科学方法。下列分类合理的是(???)

①根据酸分子中含有的H原子个数将酸分为一元酸、二元酸等

②根据反应中是否有电子的转移将化学反应分为氧化还原反应和非氧化还原反应

③根据电解质在熔融状态下能否完全电离将电解质分为强电解质和弱电解质

④根据元素原子最外层电子数的多少将元素分为金属和非金属

⑤根据反应的热效应将化学反应分为放热反应和吸热反应

A.②③???B.②⑤???C.①②④???D.②③④⑤

参考答案:

B

3.下列反应的离子方程式书写错误的是

A.向氯化铝溶液中加入过量氨水:Al3++3NH3·H2O=Al(OH)3↓+3NH4+

B.向硫酸亚铁溶液中加入用硫酸酸化的过氧化氢溶液:2Fe2++2H++H2O=2Fe3++2H2O

C.澄清石灰水与少量小苏打溶液混合:Ca2++2OH-+2HCO3-=CaCO3↓+CO32-+2H2O

D.NH4HSO4溶液与足量NaOH溶液共热:NH4++HSO3-+2OH-NH3↑+SO32-+2H2O

参考答案:

C

试题分析:A.向氯化铝溶液中加入过量氨水,发生复分解反应,产生氢氧化铝沉淀,反应的离子方程式是:Al3++3NH3·H2O=Al(OH)3↓+3NH4+,正确;B.向硫酸亚铁溶液中加入用硫酸酸化的过氧化氢溶液:Fe2+被H2O2氧化产生Fe3+,H2O2被还原产生H2O,根据电子守恒、元素的原子守恒及电荷守恒,可得反应的离子方程式是:2Fe2++2H++H2O=2Fe3++2H2O,正确;C.澄清石灰水与少量小苏打溶液混合,要以不足量的小苏打为标准,反应的离子方程式是:Ca2++OH-+HCO3-=CaCO3↓+H2O,错误;D.NH4HSO4溶液与足量NaOH溶液共热,发生反应产生氨气、亚硫酸钠和水,反应的离子方程式是NH4++HSO3-+2OH-NH3↑+SO32-+2H2O,正确。

4.W、R、X、Y的原子序数依次增大,Y的最高正价和最低负价之和等于0,L层上电子数是M层上电子数的2倍;在常温常压下,W和R组成的化合物有多种,其中两种化合物能相互转化,但元素化合价没有变化;这4种元素的原子最外层电子数之和等于R原子的核电荷数的2倍.下列说法正确的是()

A.元素的非金属性顺序为R>Y>W

B.R与其他三种元素均能形成共价化合物

C.简单氢化物的热稳定性顺序为R>W>Y

D.原子半径次序为W>R>X>Y

参考答案:

C

【考点】原子结构与元素周期律的关系;元素周期律和元素周期表的综合应用.

【分析】W、R、X、Y的原子序数依次增大,Y的最高正价和最低负价之和等于0,则Y位于第IVA族,L层上电子数是M层上电子数的2倍,

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