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本公开涉及用于多个交替外延硅的支撑结构。提供用于具有水平定向的存取装置及存储节点的竖直堆叠的存储器单元的阵列的系统、方法及设备。所述水平定向的存取装置具有由外延生长的单晶硅Si沟道区分开的第一源极/漏极区及第二源极漏极区。为所述外延生长的单晶Si提供支撑结构。水平定向的存取线连接到与所述沟道区相对的栅极,所述栅极完全环绕所述沟道区的每个表面形成为由栅极电介质与所述沟道区分开的环绕式栅极GAA结构。所述存储器单元具有耦合到所述第二源极/漏极区的水平定向的存储节点及耦合到所述第一源极/漏极区的竖直数
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117177565A
(43)申请公布日2023.12.05
(21)申请号202310646232.3
(22)申请日2023.06.01
(30)优先权数据
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