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.基本薄膜材料
名称:钇(Y)
黄中波 摘抄总结
透光范N蒸发温度蒸发源应用蒸汽成围(nm)(500nm)(℃)份250-8000179?
透光范
N
蒸发温度
蒸发源
应用
蒸汽成
围(nm)(500nm)(℃)
份
250-8000
179
?
2300-2500 电子枪
防反膜
名称:二氧化铈(CeO2
使用高密度的钨舟皿(较早使用)蒸发,在200℃的基板上蒸着
二氧化铈,得到一个约为2
2的折射率,在大约3000nm有一吸
?
收带其折射率随基板温度的变化而发生显著变化,在300℃基板
上500nm区域n=2
45,在波长短过400nm时有吸收,传统方法
?
蒸发缺乏紧密性,用氧离子助镀可取得n =2
3(550nm)的低吸
?
透光范围(
透光范围
(nm)
400-16000
N
蒸发温蒸发源
应用
杂气排
(500nm)
度(℃)
放量
235
?
约2000
电子枪
增透膜
多
名称:氧化镁(MgO)
必须使用电子枪蒸发因该材料升华,坚硬耐久且有良好的紫外线
(UV)穿透性。250nmn=186,190nm n=206,166nm时
? ?
K值为01,n=265,可能用作紫外线薄膜材料。Mg/MgF2膜堆
? ?
从200nm—400nm 区域透过性良好,但膜层被限制在60层以内
(由于膜应力)500nm 时环境温度基板上得到n =170,而在
?
300℃基板上得到n=174。由于大气CO2的干扰,MgO暴露表
?
面形成一模糊的浅蓝的散射表层,可成功使用传统的MHL折射率3层AR膜(MgO/CeO2/MgF2)。
名称:硫化锌(ZnS)
折射率235,400—13000的透光范围,、具有良好的应力和良好
?
透光范围N蒸发温度蒸发源应用方式(nm)(550nm)(℃)400-14000245?1000-1100 电子枪升华钼钽舟的环境耐久性,ZnS在高温蒸着时极易升华,这样在需要的膜层
透光范围
N
蒸发温度
蒸发源
应用
方式
(nm)
(550nm)(℃)
400-14000
245
?
1000-1100 电子枪
升华
钼钽舟
应用:分光膜,泠光膜,装饰膜,滤光片,高反膜,红外膜,据国内光学厂资深老工程师讲,常年使用用ZNS的机器基本上五年后真空腔被腐蚀殆尽.尽管如此,在一些小作坊工厂因其易蒸发,
低成本等原因仍被广泛使用,
名称:氟化钍(ThF4)
260nm—12000nm以上的光谱区域,是一种优秀的低折射率材料,然而存在放射性,在可视光谱区n从152降到138(1000nm区
? ?
域)在短波长趋近于16,蒸发温度比MgF2低一些,通常使用
?
带有凹罩的舟皿以免ThF4良性颗粒火星飞溅出去,而且形成的薄膜似乎比MgF2薄膜更加坚固。该膜在IR光谱区3000nm水带几乎没有吸收,这意味着有望得到一个低的光谱移位以及更大的整体坚固性。在8000到12000nm完全没有材料可替代。
名称:二氧化钛(TiO2)
TiO2由于它的高折射率和相对坚固性,人们喜欢把这种高折射率材料用于可见光和近红外线区域,但是它本身又难以得到一个稳定的结果。TiO2,Ti3O5,Ti2O3,TiO及Ti,这些原材料氧—钛原子的模拟比率分别为:2?0,1?67,1?5,1?0,0,后发现比率
为1?67的材料比较稳定并且大约在550nm生成一个重复性折射
率为2?21的坚固的膜层,比率为2材料的第一层产生一个大约2?06的折射率,后面的膜层折射率接近2?21。比率为1?0的材料需要7个膜层将折射率2?38降到2?21。这几种膜料都无吸收性,
几乎每一个TiO2蒸着都遵循一个原则是:在可使用的光谱区内取得可以忽略的吸收性,这样可以降低氧气压力的限制以及温度和蒸着速度的限制。TiO2需要使用IAD助镀,氧气输入口在挡板下面。
Ti3O5比其它类型的氧化物贵一些,可是有很多人认为这种材料不稳定性的风险小一些。Pulker等人指出,最后的折射率与无吸收性是随着氧气压力和蒸着温度而改变的,基板温度高则得到高的折射率,例如,基板温度为400℃时在500nm波长得到的折射
为263,可是由于别的原因,高温蒸着通常是不受欢迎的,而
?
离子助镀已成为一个普遍采用的方法其在低温甚至在室温时就可以得到比较高的折射率,通常需要提供足够的氧气以避免(因为有吸收则降低透过率),但是可能也需要降低吸收而增大激光损坏临界值(LDT)。TiO2的折射率与真空度
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