一种缺陷态三氧化钨修饰的碳布二维电极的制备及其应用.pdfVIP

一种缺陷态三氧化钨修饰的碳布二维电极的制备及其应用.pdf

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本发明属于微生物燃料电池阳极材料技术领域,具体涉及一种通过在碳布(CC)表面溅射缺陷态三氧化钨(WO3‑x)制备二维碳布修饰电极及其在微生物燃料电池(MFC)阳极的应用;裁剪清洗好的碳布置于射频磁控溅射系统中,溅射靶材为99.9%的WO3靶材,在氩气保护下在碳布表面沉积WO3‑x,得到新型WO3‑x/CC二维材料,用钛丝连接后用于MFC阳极。本发明通过磁控溅射的办法在碳布表面沉积缺陷态金属氧化物制备WO3‑x修饰的二维碳布电极,所制备的WO3‑x修饰的碳布电极导电性能优越、生物相容性好,绿色且环

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117154107 A (43)申请公布日 2023.12.01 (21)申请号 202311093918.0 (22)申请日 2023.08.28 (71)申请人 哈尔滨理工大学 地址

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