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本发明提供了一种生长DAAQ水平纳米线阵的方法及纳米线阵和应用,所述的方法包括:对M面蓝宝石衬底进行退火,使其表面形成平行排列的水平纳米沟道;将蓝宝石衬底进行表面疏水改性处理,使其表面接触角大于95°;采用气相沉积法在蓝宝石衬底表面生长DAAQ纳米线。工艺流程简化,安全且易于操作,一步实现DAAQ纳米线的生长和对准,得到的纳米线具有形貌优势,且具有高结晶度并表现出晶体取向偏好生长模式,可应用于有机场效应晶体管、有机发光二极管、有机光伏电池或光电探测器产品中。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117123447 A
(43)申请公布日 2023.11.28
(21)申请号 202311093526.4 C23C 14/02 (2006.01)
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