原创力文档- 1、本文档共23页，可阅读全部内容。
- 2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
砷化镓 GaAs
M10材料科学与工程
主讲人：郑贤高
;;; 砷化镓：是一种重要的半导体材料，属Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体。化学式GaAs，分子量144.63，属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10m，熔点1238℃，黑灰色固体，它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不为非氧化性的酸侵蚀。
;发展历程：;性质与属性：;砷化镓材料的分类：;两种制造技术：; LPE技术优缺点： ;MOCVD 技术;
20 世纪70 年代末,MOCVD 开始用于研 GaAs 太阳电池。与L PE 比,MOCVD 虽然设备成本较高,但具有不可比拟的优越性。 ;国外技术进展：; 缺陷控制;砷化镓中的杂质 ;;国家策支持明细化鼓励各地新建光伏电站采用砷化镓光伏电池;应用情况：;砷化镓太阳能电池;国内、外应用：;国外应用：;参考文献
[1 ] CHIANG P K, et al . Experimental results of Ga InP/
GaAs/ Ge triple junction cell development for space sys2
terns[ C ] . Washington DC: Proceedings of 25th IEEE
PVSC , 1996 , 183～186.
[2 ] KURTZ S R , MYERS D , OLSON J M. Projected per2
formance of three2and four2junction devices using GaAs
and Ga InP[C] . Anaheim CA : Proceedings of 26th IEEE
PVSC , 1997 , 875～878.
[3 ] CROSS T A , et al . GaAs solar panels for small satelli2
ets : Performance data and technology trends[C] . Wash2
ington DC: Proceedings of 25th IEEE PVSC , 1996 , 277
～282.
[4 ] YAMAGUCHI M , KATSUMOTO S , AMANO C. A
unified model for radiation2resistance of advanced space
solar cells [ C ] . Hawaii : Proceedings of WCPEC21 ,
1994 , 2149～2152.;Thank You!;感谢阅读
文档评论（0）