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本申请提供一种高阻层的制备方法,包括:步骤S1,提供一衬底,衬底上形成有层间介质层;步骤S2,依次形成第一覆盖层、保护层和硬掩模层,覆盖层间介质层;步骤S3,形成具有高阻层图案的光刻胶层;步骤S4,刻蚀硬掩模层和保护层直至露出第一覆盖层,而后去除该光刻胶层;步骤S5,沉积高阻材料层,覆盖硬掩模层和露出的第一覆盖层;步骤S6,形成第二覆盖层,覆盖高阻材料层;步骤S7,研磨第二覆盖层直至露出位于硬掩模层上的高阻材料层;步骤S8,去除露出的高阻材料层以及硬掩模层和第二覆盖层的一部分,使顶部平整。通过形
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117080051 A
(43)申请公布日 2023.11.17
(21)申请号 202310977209.2
(22)申请日 2023.08.04
(71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司
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