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本发明公开了一种基于偏转电场调制的双靶材脉冲中子管,包括壳体和设置在壳体内的离子源单元、加速偏转单元和双靶材预制靶;离子源单元能够产生氘离子束;加速偏转单元包括加速电极和偏转电极;偏转电极不工作时,不产生偏转电场;偏转电极工作时,通过正负高压脉冲分别产生向向下的偏转电场和上的偏转电场;双靶材预制靶包括上部靶、中部靶和下部靶,氘离子束通过偏转轰击上部靶和下部靶;双靶材预制靶包括氘靶、氚靶和空靶;氘离子束轰击空靶时,无中子发射;氘离子束轰击氘靶时,发射平均能量为2.5MeV的中子;氘离子束轰击氚靶时
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117062295 A
(43)申请公布日 2023.11.14
(21)申请号 202310843348.6
(22)申请日 2023.07.11
(71)申请人 南京航空航天大学
地址 2111
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