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本实用新型涉及单晶硅制造技术领域，具体涉及一种冷屏结构及单晶炉。冷屏结构包括：水冷屏，具有水冷通道；气冷件，设置在水冷屏的下方，气冷件具有进气口和出气口；进气管，固定在水冷屏上，进气管的第一端与进气口连通，进气管的第二端适于连接气源；出气管，固定在水冷屏上，出气管的第一端与出气口连通，出气管的第二端适于排气。本实用新型在水冷屏的下方设置气冷件，气冷件距离硅液面的距离大于水冷屏距离硅液面的距离，气冷件更靠近单晶硅生长区域，由于温差的存在，气冷件中冷却的气体可以直接带走单晶硅表面或者单晶硅的结晶界面
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 220012883 U
(45)授权公告日 2023.11.14
(21)申请号 202321128053.2
(22)申请日 2023.05.11
(73)专利权人 三一硅能 （株洲）有限公司
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