电子元器件测量仪器752晶体管特性图示仪的使用方法1主要.PPT.pptxVIP

子元器7.1概述集总参数元件特性阻器电容器电感器7.3万用电桥7.3.1电桥的分类及平衡条件件测量7.3仪.2用器电桥的组成和工作原理7.3.3用电桥的使用高频Q表高频Q表的组成和工作原理高频Q表的使用晶体管特性图示仪晶体管特性图示仪的组成及工作原理晶体管特性图示仪的使用方法 子元器7.1概述基本电路元件：电阻器、电容器、电感器，测量方法有电桥法和谐振法；半导体器件：晶体二极管、三极管、场效应管、单结管、晶闸管等，测量仪器有晶体管特性图示仪、晶体管直流参数测试仪、h参数测试仪、Y参数测试仪和场效应管测试仪等；集成电路器件：运算放大器、数字逻辑电路、半导体存储件测器量、微仪处理器器等，采用专用集成电路测试仪测量。7.2 集总参数元件特性7.2.1 电阻器图7.1 电阻器高频等效电路 子元器7.2.2 电容器图7.2 电容器等效电路图7.3电容器高频等效电路件测7量.2.仪3 电器感器图7.4 电感器等效电路图7.5 电感器高频等效电路 器子元 件测量仪器7.3 万用电桥工作在低频电路中的元件参数通常采用电桥法进行测量，是一种比较测量法，它是把被测量与同类性质的标准量进行比较，从而确定被测量大小的方法。如万用电桥。7.3.1 电桥的分类及平衡条件1.直流电桥图7.6 直流电桥原理图Rx =R2·R3/ R4 子元器图7.7 交流电桥原理图件测交量流电仪桥器的平衡条件：幅度平衡条件和相位平衡条件。交流电桥有两种基本形式：电阻比率电桥 和电阻乘积电桥。2.交流电桥Zx/Z2=Z3/Z4或 Zx·Z4=Z2·Z3其中 Zx=Rx+jXx；Z2=R2+jX2； Z3=R3+jX3； Z4=R4+jX4图7.8 电阻比率电桥Zx= (Z2/Z4)Zs图7.9 电阻乘积电桥Zx= (Z2·Z3)/Zs 器子元 件测量量仪仪器器7.3.2 万用电桥的组成和工作原理图7.11 电容串联比较电桥被测电容 Cx=(R4/ R2)CS损耗电阻 Rx=(R2/ R4)RS损耗因数 Dx=ωCSRS图7.10 QS18A型万用电桥基本组成框图1.测量电容原理 2.测量电感原理图7.12 麦氏-文氏电桥被测电感 Lx= R2·R3Cs损耗电阻 Rx=R2·R3/Rs品质因数 Qx=ωCsRs3.测量电阻原理采用惠斯登电桥，如图7.6所示。被测电阻 Rx=R3·R2/R4。 子元器7.3.3 万用电桥的使用1.主要技术指标电容测量：1.0pF~1100μF分八挡1.0pF~110pF，准确度±(2%+0.5pF)；100pF~110μF，±(1%+Δ)； 100μF~1100μF，±(5 %+Δ)D值：0~0.1；0~10电感测量：1.0μH~110H分八挡件测量1.0仪μH~器11μH，准确度±(5%+0.5μH)；10μH~110μH，±(2%+Δ)；100μH~1.1H，±(1%+Δ)；1H~11H，±(2%+Δ)；10H~110H，±(5%+Δ)Q值：0~10电阻测量：10mΩ~11MΩ分八挡 10mΩ~1.1Ω,准确度±(5%+0.5mΩ)；1Ω~1.1MΩ,±(1%+Δ)；1Ω~11MΩ,±(5%+Δ)。R＞10Ω挡使用直流9V电池。 器子元 件测量量仪仪器器2.面板布局图7.13 QS18A型万用电桥面板图(1) 测量接线柱(2) 外接插孔(3) 拨动开关(4) 量程开关(5) 测量读数盘(6) 测量选择(7) 平衡指示表(8) 灵敏度调节(9) 损耗倍率(10) 损耗微调(11) 损耗平衡(12) 接地接线柱 子元器3.使用方法【例7.1】有一标称值为510pF的电容，用QS18A 型万用电桥测量。试问① 量程选择和损耗倍率 开关应放在何位置？② 若两读数盘示值分别为 0.5和0.043，损耗平衡示值为1.2，其电容量和损耗值各为多少？解: ① 量程选择开关应放在1000pF处，损耗倍率件测量开关仪应器放在D×0.01处。②C=1000×(0.5+0.043)=543pF ；D=0.01×1.2=0.012返回 器子元 件测量仪仪器器7.4 高频Q表1.高频Q表的组成(1) 高频振荡电路(3) 测量回路(2) 频率指示(4) Q值指示电路工作在高频电路中的元件参数通常采用谐振法进行测量，谐振测量法就是把被测元件接入LC回路，然后调节回路参数使之产生谐振，再根据相应的关系来确定被测量的数值。如高频Q表。7.4.1 高频Q表的组成和工作原理图7.14高频Q表基本组成框图 子元器2.高频Q表的工作原理(1) Q值测量原理(2) 电容测量原理图7.17 串联替代法测电容（较大电容测量）CX= CS1CS2 /(CS2-CS1)Q=UC/Ui图7.15 Q值测量原理件测(量3) 电仪感器测量原理图7.18 串联替代法测电感（较小电感测量）Lx=(CS1－