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本发明涉及一种具有三栅结构的复合型RC‑LIGBT器件,属于半导体功率器件领域。该器件包括LDMOS区以及位于其两侧的LIGBT区,两者通过SiO2隔离。该器件在正向导通时,利用LIGBT的体内槽栅对LDMOS进行侧壁感应形成侧壁沟道导电,同时体内槽栅形成槽栅沟道导电,此时LIGBT与LDMOS同时正向导电;在正向导通时三种模式的转换过程中器件处于平稳过度状态,无电流突变情况;在反向导通时,该器件LDMOS区寄生PIN二极管实现反向导通能力,且平面沟道栅注入电子优化漂移区中载流子分布。本发明完全
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117038718 A
(43)申请公布日 2023.11.10
(21)申请号 202310690008.4
(22)申请日 2023.06.12
(71)申请人 重庆邮电大学
地址 400065
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