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本公开提供了一种半导体结构及其形成方法、存储器,半导体结构包括沿第一方向依次堆叠排布的写晶体管阵列、存储节点阵列和读晶体管阵列;其中,读晶体管阵列包括多个沿第二方向和第三方向呈阵列排布的读晶体管;沿第二方向排布的多个读晶体管的有源区均位于沿第二方向延伸的同一半导体层中,沿第三方向相邻的两个读晶体管的有源区位于不同的半导体层中;有源区包括沿第二方向排布的第一电极区、沟道区和第二电极区;每个读晶体管与沿第二方向相邻的两个读晶体管分别共用第一电极区、第二电极区;存储节点阵列包括多个存储节点,写晶体管阵
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117042448 A
(43)申请公布日 2023.11.10
(21)申请号 202310979750.7
(22)申请日 2023.08.04
(71)申请人 芯盟科技有限公司
地址 3144
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