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本发明公开一种半导体装置,包括:半导体基板,具有电路区域和围绕该电路区域的密封环区域;第一介电层,设置于该密封环区域上方,其中该第一介电层具有第一介电常数;第二介电层,配置于该半导体基板与该第一介电层之间,其中该第二介电层具有低于该第一介电常数的第二介电常数;以及导电密封环结构,设置于该密封环区域,该导电密封环结构包括:第一密封环部分,嵌入该第一介电层,该第一密封环部分包括周期性不连续排列的第一图案。第一密封环部分包括不连续排列的第一图案,可以减少对电路区域的射频性能的负面影响,第一介电层具有第
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117038590 A
(43)申请公布日 2023.11.10
(21)申请号 202310486640.7
(22)申请日 2023.04.28
(30)优先权数据
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