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一种multi‑fingerMOS器件版图的EM和IR分析方法，包括以下步骤：获取原始版图信息；对栅极图层的几何图形进行矩形化处理；利用源极图层、漏极图层的几何图形过滤栅极图层的矩形；根据栅极图层图形的宽长比确定处理后MOS器件的方向；计算处理后MOS器件的宽度以及对应阵列的行数和列数，得到MOS器件阵列的坐标位置信息；删除原始的multi‑fingerMOS器件区域，根据所述MOS器件阵列的坐标位置信息生成新的MOS器件阵列；对含有新的MOS器件阵列的版图提取寄生参数信息；根据所述寄生参数
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117010321 A
(43)申请公布日 2023.11.07
(21)申请号 202310661966.9
(22)申请日 2023.06.06
(71)申请人 北京华大九天科技股份有限公司
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