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本申请提供一种半导体器件及其形成方法，其中半导体器件包括：位于半导体衬底的正面的第一腔；位于第一腔的底面的连接通道和阻挡部，其中，至少部分连接通道的侧壁与第一腔的剩余部分底面连接在一起，以形成阻挡部；器件层，支撑于正面且面对第一腔；位于半导体衬底的背面的第二腔，从正面到背面的方向上，第二腔与连接通道交叠并共用开口。其中开口在阻挡部的投影位于阻挡部的范围内，阻挡部对开口形成遮挡，使得在形成第二腔时，从所述开口流入的腐蚀性物质，使得腐蚀性物质无法直接冲击器件层，避免器件层遭到腐蚀而受损，确保半导体器
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 109573937 A
(43)申请公布日
2019.04.05
(21)申请号 20171
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