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第一章 半导体二极管一.半导体的基础知识 半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅 Si、锗 Ge)。 特性---光敏、热敏和掺杂特性。 本征半导体 纯净的具有单晶体结构的半导体。 两种载流子 带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 杂质半导体 在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P 型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N 型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 杂质半导体的特性 *载流子的浓度 多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻 通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型 通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 PN 结 PN 结的接触电位差 硅材料约为 0.6~0.8V，锗材料约为 0.2~0.3V。 PN 结的单向导电性 正偏导通，反偏截止。 二. 半导体二极管*单向导电性 正向导通，反向截止。 二. 半导体二极管 *单向导电性 正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性 同ＰＮ结。 *正向导通压降 硅管 0.6~0.7V，锗管 0.2~0.3V。 *死区电压 硅管 0.5V，锗管 0.1V。 3.分析方法 将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V V 阳 ( 正偏 )，二极管导通(短路); 阴 若 V V 阳 ( 反偏 )，二极管截止(开路)。 阴 图解分析法 该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点 Q。 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段 将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V 阳 V 阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V 阳 V 阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。 *三种模型 微变等效电路法 三. 稳压二极管及其稳压电路 *稳压二极管的特性 正常工作时处在PN 结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。 第二章 三极管及其基本放大电路一. 三极管的结构、类型及特点1.类型 分为NPN 和 PNP 两种。 2.特点 基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触 面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。二. 三极管的工作原理 三极管的三种基本组态 三极管内各极电流的分配 * 共发射极电流放大系数 (表明三极管是电流控制器件 式子 称为穿透电流。 共射电路的特性曲线 *输入特性曲线---同二极管。 * 输出特性曲线 * 输出特性曲线 (饱和管压降，用 U 表示 CES 放大区---发射结正偏，集电结反偏。截止区---发射结反偏，集电结反偏。 4. 温度影响 温度升高，输入特性曲线向左移动。 温度升高 I 、 I 、 I 以及β均增加。 CBO CEO C 三. 低频小信号等效模型（简化） h ---输出端交流短路时的输入电阻， ie 常用r 表示； be h ---输出端交流短路时的正向电流传输比， fe 常用β表示； 四. 基本放大电路组成及其原则 VT、 V 、 R 、 R 、C 、C 的作用。 CC b c 1 2 组成原则 能放大、不失真、能传输。 五. 放大电路的图解分析法 直流通路与静态分析 *概念 直流电流通的回路。 *画法 电容视为开路。 *作用 确定静态工作点 *直流负载线---由V =I R +U 确定的直线。 CC C C CE *电路参数对静态工作点的影响 改变R b ：Q 点将沿直流负载线上下移动。 改变R c ：Q 点在 I BQ 所在的那条输出特性曲线上移动。 改变V ：直流负载线平移，Q 点发生移动。 CC 交流通路与动态分析 *概念---交流电流流通的回路 *画法---电容视为短路,理想直流电压源视为短路。 *作用---分析信号被放大的过程。 *交流负载线--- 连接Q 点和V ’点 V ’= U +I R ’ 的 CC 直线。 静态工作点与非线性失真 CC CEQ CQ L （1）截止失真 （1）截止失真 *产生原因---Q 点设置过低 *失真现象---NPN 管削顶，PNP 管削底。 *消除方法---减小Rb，提高Q。 （2） 饱和失真 *产生原因---Q 点设置过高 *失真现象---NPN 管削底，PNP 管削顶。 *消除方法---增大R 、减小Rc、增大 V 。 b CC 放大器的动态范围 Uopp---是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。 范围 *当（U －U ）＞（V ’ － U ）时，受截止失真限制，U =2U =2I R ’。 CEQ CES CC CEQ OPP OMAX CQ L A.l A .l iB（吟） T,dl- T, dl- F- I I ,1＿·K-,－l - , 1 ＿ ·