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WORD 格式 可编辑 模拟电子线路随堂练习 第一章 半导体器件作业 1-1 一、习题（满分 100 分） 1.N 型半导体带负电，P 型半导体带正电。（ ） 以空穴为主要导电方式的半导体称为P 型半导体。（ ） PN 结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。（ ） 晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。（ ） 硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。（ ） 在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。（ ） 晶体三极管的基极，集电极，发射极都不可互换使用。（ ） 晶体三极管工作在饱和状态的条件是：发射结正偏，集电结正偏。（ ） 晶体三极管有三种工作状态，即：放大状态，饱和状态，导通状态。（ ） 三极管是一种电压控制器件，场效应管是一种电流控制器件。（ ） 温度升高后，在纯净的半导体中（ ）。 自由电子和空穴数目都增多，且增量相同 B.空穴增多，自由电子数目不变C.自由电子增多，空穴不变 D.自由电子和空穴数目都不变 如果PN 结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则（ ）。 阻当层不变，反向电流基本不变 B.阻当层变厚，反向电流基本不变C.阻当层变窄，反向电流增大 D.阻当层变厚，反向电流减小 专业知识 整理分享 一、习题（满分 100 分） 1.N 型半导体（ ）。 WORD 格式 可编辑 作业 1-2 带正电 B.带负电 Ｃ.呈中性 Ｄ.不确定 如果二极管的正反向电阻都很大，则该二极管（ ）。 正常 B.断路 Ｃ.被击穿 Ｄ.短路 对于晶体二极管，下列说法正确的是（ ）。 正向偏置时导通，反向偏置时截止 B.反向偏置时无电流流过二极管C.反向击穿后立即烧毁 D.导通时可等效为一线性电阻 工作在放大状态的三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别 为（ ）。 A.0.03mA 流出三极管 e、c、b B.0.03mA 流进三极管 e、c、b C.0.03mA 流出三极管 c、e、b D.0.03mA 流进三极管 c、e、b 测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图，从而可判断该晶体管工作在（ ）。 饱和状态 B.放大状态 C.倒置状态 Ｄ.截止状态 PNP 型晶体管工作在放大状态，三个极电位的关系是（ ）。 A.V V V V V V Ｃ.V V V Ｄ.V V V C B E C E B E B C E C B 1 2 3PNP 型硅管工作在放大状态，各极对地电位分别是V =6V，V =2.7V，V =2V，则 1，2，3 分别为（ ）。 1 2 3 发射极、基极、集电极 B.集电极、基极、发射极C.集电极、发射极、基极 D.基极、集电极、发射极 b c b c测得三极管i =30μA 时 i =2.4mA，而i =40μA 时 i =3mA，则该管的交流电流放大系数β 为（ ） b c b c A.60 B.75 C.80 Ｄ.100 1 2 3NPN 型硅管各极对地电位分别是V =6V，V =2.7V，V =2V，则 1，2，3 分别为（ ） 1 2 3 基极、集电极、发射极 B.发射极、基极、集电极C.集电极、发射极、基极 D.集电极、基极、发射极 三极管输出特性曲线可分为三个区，下列不属于工作区的是（ ）。 截止区 B.放大区 C.饱和区 Ｄ.击穿区 在放大电压信号时，通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为（ ） A.输入电阻小，输出电阻大 B.输入电阻小，输出电阻小 输入电阻大，输出电阻小 D.输入电阻大，输出电阻大 专业知识 整理分享 WORD 格式 可编辑 作业 1-3 一、习题（满分 100 分） 1.以下属于半导体的是（ ）。 A.锗 B.塑料 Ｃ.铜 Ｄ.云母 2.P 型半导体中的多数载流子是（ ）。 A.负电荷 B.自由电子 Ｃ.正电荷 Ｄ.空穴 将PN 结P 区接电源负极，N 区接电源正极，此时PN 结处于（ ）偏置。 正向 B. 双向 Ｃ.单向 Ｄ.反向 将PN 结两端加反向电压时，在PN 结内参与导电的是（ ）。 空穴 B.自由电子 Ｃ.自由电荷 Ｄ.空穴和自由电子 由理想二极管组成的电路如图所示，其A、B 两端的电压为（ ）。 A.+6V B.-6V Ｃ. -18V Ｄ.+18V 在半导体材料中，其说法正确的是（ ）。 A.P 型半导体和N 型半导体材料本身不带电 B.P 型半导体中，由于多数载流子为空穴，所以它带正电 C.N 型半导体中，由于多数载流子为自由电子，所以它带负电 D.N 型半导体中，由于多数载流子为空穴，所以它带负电 如果二极管的反向电阻都很小或者为零，则该二极管（ ）。 正常 B. 短路 Ｃ.断路 Ｄ.被击穿 实现晶体三极管截止的条件是（