模电试卷及答案.docx

精品文档 精品文档 精品文档 精品文档 1．N 型半导体主要是依靠（ A ）导电的半导体。 A．电子 B.空穴 C.三价硼元素 D.五价锑元素 某放大器电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12KΩ 的负载电阻后，输出电压降为 3V，这说明放大电路的输出电阻为（ C ） 0KΩ B.2KΩ C．4KΩ D.3KΩ 多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比,其通频带（ B ） 变宽 B. 变窄 C. 不变 D. 与单级放大电路有关 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与低阻负载间接入（ C ） 共发射极电路 B. 共基极电路 C. 共集电极电路 D. 共集-共基串联电路 对于单管共发射极放大电路频率响应，当 f = f L （ C ） A. －450 B.－900 C.－1350 D.＋450 时，U 0 和 U 相位关系是 I 在右图电路中，设电容 C 、C 1 2 对交流信号的影响可以忽略不计，当输入 f =1KHz 的正弦波电压信号后，用示波器观察 V 0 及 V ，则二者的相位关系为：（ A ） I 差 180 度 B.相差 90 度 C． 相差 45 度 D.同相位 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（ C ）V i 电阻阻值有誤差 B. 晶体管参数的分散性 C. 晶体管参数受温度影响 D. 电源电压不稳定 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是,前者的运放通常工作在（ C ） 深度负反馈状态 B. 放大状态 C. 开环或正反馈状态 D.线性工作状态 当场效应管的漏极直流 I D 从 2mA 变为 4mA 时，它的低频跨导将（ A ） 增大 B.不变 C.减小 共摸抑制比 K CMR 越大,表明电路（ C ） 放大倍数越稳定 B.交流放大倍数越大 C.抑制温漂能力越强 D.输入信号中的差模成分越大 在本征半导体中加入（ D ）元素可以形成 N 型半导体，加入 （ B ）元素可形成 P 型半导体。 A．二价 B.三价 C.四价 D. 五 价 2．晶体三极管用于放大时，应使其发射结、集电结处于（ A ） 发射结正偏、集电结反偏 B.发射结正偏、集电结正偏C．发射结反偏、集电结正偏 D..发射结反偏、集电结反偏 差动放大电路的差摸信号是两个输入信号的（ A ），共模信号是两个输入信号的（ B ）。 差值 B. 平均值 C. 和值 D. 均方根值 某电路有用信号的频率是 2kHz,可选用（ B ）滤波器来获得此信号。 高通 B. 带通 C. 带阻 D. 低通 射极输出器的主要特点是：（ B ） 电压放大倍数小于 1，输入电阻低，输出电阻高。 电压放大倍数小于 1，输入电阻高，输出电阻低。 电压放大倍数大于 1，输入电阻低，输出电阻高。 电压放大倍数大于 1，输入电阻高，输出电阻低。 当信号频率等于放大电路的 f 或 f L H 时,放大倍数的值约下降到中频时的 （ B ），即增益下降（ A ）。 A. 0.5 B. 0.7 C. 0.9 。 A. 3dB 4dB C. 5dB 在输入量不变的情况下,如果引入反馈后（ D ）,则说明引入的反馈是负反馈. 输入电阻增大 B.输出量增大 C．净输入量增大 D.净输入量减小 阻容耦合放大电路的特点是( A )。 A 工作点互相独立 B 便于集成 C. 存在零点漂移 D 能放大变化缓慢的信号 稳压二极管是利用二极管工作在：（ C ） 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 D.反向饱和 在 OCL 电路中，引起交越失真的原因是：（ D ） A．输入信号大 B.晶体管β过大 C.电源电压太高 D.晶体管输入特性非线性1．由 NPN 晶体管组成的单级共射电压放大器，在正常的输入信号下，若输出电压波形正半周出现了失真，是由于工作点设置偏 ，出现的叫 失真。 （ C ） A．低 饱和 B. 高 饱和 C. 低 截止 D. 高截止 晶体三极管用于饱和时，应使其发射结、集电结处于（ B ） A．发射结正偏、集电结反偏 B.发射结正偏、集电结正偏 C．发射结反偏、集电结正偏 C.发射结反偏、集电结反偏 功率放大器采用乙类互补对称功放电路时，典型的电路双电源供电的 电 路，以及单电源供电的 电路。（ B ） B．OTL OCL B. OCL OTL C. OCL BTL D. OTL BTL 某电路有用信号的频率是2~2kHz,可选用（ B ）滤波器来获得此信号。 高通 B. 带通 C. 带阻 D. 低通 共发射极电路的主要特点是：（ B ） 电压放大倍数小于 1，输入电阻低，输出电阻高。 电压放大倍数小于 1，输入电阻高，输出电阻低。 电压放大倍数大于 1，输入电阻低，输出电阻高。H． I． 电压放大倍数大于 1，输入电阻高，输出