模拟电子电路-全套PPT课件.pptx

模拟电子技术基础CAI; 目录;课程特点;学习方法;第一章 半导体基础及应用电路 ;1.1 半导体基础知识;1.1半导体材料及导电特性;; 当Si（或Ge）原子组成单晶体后，各原子之间有序、整齐的排列在一起，原子之间靠得很近，价电子不仅受本原子的作用，还要受相邻原子的作用。 ;Eg;（三）本征载流子（intrinsic carrier）浓度;1.1.2 杂质半导体（donor and acceptor impurities） ;;;（二）P型半导体（P type semiconductor）;（二）P型半导体（P type semiconductor）;（三）杂质半导体中的载流子浓度 ;（三）杂质半导体中的载流子浓度 ;1. 1 . 3 漂移电流与扩散电流;(二）扩散 电 流（diffusion current）;§1.2 PN结;N;1. PN结的形成;2. PN结的特点 ;1.2.2 PN结的单向导电特性;;;1.3 晶体二极管及应用;1.3 晶体二极管及应用;;; 二极管击穿后端电压几乎不变，具有稳压特性。;UD;1．3．3 二极管的等效模型 ;[例1.1] Si二极管与恒压源E和限流电阻R构成的直流电路如图1.25所示。求二极管工作点UD和ID的值。 ;电路仿真;1.3.4 二极管应用电路;1.3.4二极管应用电路;;Ui;;1．3．6 PN结电容;;二极管主要参数;;;;2. BJT三种基本组态;3．BJT的偏置方式：;;① 多子通过EB(发射)结注入B区;② 由浓度差引起基区非平衡少数载流子的扩散与复合。;;返回;(2) 放大偏置时的电流关系 ;电流分配关系小结：;(3) BJT的截止与饱和工作状态 ;4. BJT偏置电压与电流的关系 ;4. BJT偏置电压与电流的关系 ;2. 1.2 BJT的静态特性曲线;1. 共射BJT的输入特性曲线;;;EC;;iB=-ICBO;1. 4. 3 BJT的主要参数;EC;1. 4. 3 BJT的主要参数;EC;b’;;;小结：四个物理效应;;;2 H参数等效电路;2 H参数等效电路;2 H参数等效电路;2 H参数等效电路;;π参数等效电路与H参数等效电路的关系;引言;2.2 结型场效应管;2.2.1 JFET的结构及基本工作原理;;;综上分析，可得下述结论:;输出特性的斜率随栅源电压而变化，栅源电压愈负，输出特性曲线相对纵坐标轴愈倾斜,漏源间的等效电阻愈大。 ;2.2.2 JFET特性曲线及参数;3. 主要参数;在小信号条件下，微分diD、duGS和duDS可以分别用交流小信号id、ugs和uds来代替。 ;2.3 金属—氧化物—半导体场效应管（MOSFET）;;;;;;5 E型NMOSFET大信号特性方程 ; N沟道增强型MOSFET的输出特性曲线也可分成四个区：可变电阻区（Ⅰ区）、恒流区（Ⅱ区，也称为放大区）、击穿区（Ⅲ区）和截止区（Ⅳ区）。将预夹断方程中的等号改为大于号，管子进入放大区（恒流区）；将等号改为小于号，管子进入可变电阻区。 ;G;2.3.3 MOSFET小信号模型;2.3.3 MOSFET小信号模型 ;1.背栅控制特性 ;3. 亚阈区导电特性 ;3.MOSFET的等效电容 ;4.MOSFET交流小信号等效模型 ;2.3.4 场效应晶体管与双极型晶体管的比较;第三章 晶体管放大电路基础;3.1 放大电路的基本组成和工作原理;;返回;返回;返回;返回;;;;1 .放大器组成的基本原则;1 .放大器组成的基本原则;在晶体管放大电路的设计和分析中有两类基本问题：;2. 直流通路与静态工作点的估算;(2) BJT静态工作点Q的估算法 ; (3) 等效电源法：;（4） FET的直流偏置电路及静态分析;（4） FET的直流偏置电路及静态分析;晶体管放大电路的直流偏置电路及静态工作点分析小结 ;;3.1.3 放大电路的图解法;;;;;二 图解法与动态工作分析：;二 图解法与动态工作分析：;3.2 三类基本组态放大电路的交流特性分析 ;2.2.1 共射放大电路的特性与动态分析;3.2.1 共射（CE）和共源（CS）放大电路;(2) 微变等效电路;2.交流参数分析：;2.交流参数分析：;（3）电压增益Au;（4）源电压增益Aus ;（5）电流增益：;（6）功率增益AP;放大器微变等效分析的步骤如下：;[例3.4] 图所示的共射（CE）和共源（CS）放大电路中，已知 BJT的rb‘b =200Ω ，β= 200，UA= 100V。FET的 ;C1，C2是