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本发明提供一种高中子吸收率钆铌合金带及制备方法和应用，属于中子准直谱仪技术领域，所述钆铌合金带由高纯钆和高纯铌组成，其中，所述高纯钆的质量占比为50%～90%。本发明通过成分设计与熔炼、锻造、热轧、冷轧、去应力退火等制备步骤，以及各步工艺参数的设置，获得厚度精确可控，表面质量优良的钆铌合金带，其厚度为0.1mm～1mm，抗拉强度高于160MPa，中子吸收率可达80%以上，在满足使用性能的前提下兼具较长的使用寿命，从根本上解决了现有中子准直器用吸收材料的涂层易脱落、易老化的问题，在中子分析、
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116926394 A
(43)申请公布日 2023.10.24
(21)申请号 202311197624.2 B21J 5/00 (2006.01)
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