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本申请实施例提供一种处理腔室的漏率侦测方法和装置，该方法包括：在处理腔室中，对固定在静电吸盘上的基板进行加工处理之后，通过氩气等离子体释放静电吸盘与基板之间的电荷；在释放电荷的过程中，实时获取处理腔室中官能基的发射光谱，发射光谱用于确定官能基的波长和强度之间的关系；根据发射光谱确定波长在640纳米至660纳米之间的第一强度和波长在490纳米至510纳米之间的第二强度；计算第一强度与第二强度的比值，侦测处理腔室的漏率。由于释放电荷是生产基板过程中不可缺少的步骤，从而不需要停止生产基板，不会影响基板
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113539903 A
(43)申请公布日 2021.10.22
(21)申请号 202110808122.3
(22)申请日 2021.07.16
(71)申请人 长鑫存储技术有限公司
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