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本发明提供一种硅基绝缘体上玻璃衬底结构及其制作方法,包括以下步骤:提供一第一晶圆,所述第一晶圆的上表层设有第一键合层;提供一第二晶圆,所述第二晶圆的下表层设有第二键合层;将所述第一键合层的上表面与所述第二键合层的下表面进行键合,键合后,所述第一键合层与所述第二键合层构成的叠层结构中至少包括第一截止层、第二截止层。本发明通过硅基绝缘体上玻璃衬底结构的制作方法制作得到的硅基绝缘体上玻璃衬底结构,采用所述第一截止层、所述第二截止层构成的双截止层结构作为所述硅基绝缘体上玻璃衬底结构的刻蚀截止层,解决了硅
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116936460 A
(43)申请公布日 2023.10.24
(21)申请号 202310935417.6
(22)申请日 2023.07.27
(71)申请人 中国科学院上海微系统与信息技术
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