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电力电子器件第五讲演示文稿 本文档共34页；当前第1页；编辑于星期一\17点35分 优选电力电子器件第五讲 本文档共34页；当前第2页；编辑于星期一\17点35分 1.8.3 MOS控制晶闸管（MCT） MCT自20世纪80年代末问世，已生产出300A/2000V、1000A/1000V的器件； 结构：是晶闸管SCR和场效应管MOSFET复合而成的新型器件，其主导元件是SCR，控制元件是MOSFET； 与IGBT一起竞争发展，但经过10多年的努力，其关键技术没有打的突破，电压和电流容量远未达到预期数值，未投入实际应用。而其竞争对手IGBT却进展飞速，目前从事MCT研究的人不多。 特点：耐高电压、大电流、通态压降低、输入阻抗高、驱动功率小、开关速度高； 第1章 本文档共34页；当前第3页；编辑于星期一\17点35分 1.8 、其它新型电力电子器件 1.8.1 静电感应晶体管 1.8.2 静电感应晶闸管 1.8.3 MOS控制晶闸管 1.8.4 集成门极换流晶闸管 1.8.5 功率模块与功率集成电路 第1章 本文档共34页；当前第4页；编辑于星期一\17点35分 1.8.1 静电感应晶体管（SIT） 它是一种节型场效应晶体管。单极型多子导电的器件，具有输出功率大、输入阻抗高、开关特性好、热稳定性好、抗辐射能力强等优点； 广泛用于高频感应加热设备(例如200kHz、200kW的高频感应加热电源)。并适用于高音质音频放大器、大功率中频广播发射机、电视发射机、差转机微波以及空间技术等领域。 缺点：1.栅极不加信号时导通，加负偏压时关断，称为正常导通型器件，使用不方便，未流行开。 2.通态电阻大，通态损耗也较大。 第1章 本文档共34页；当前第5页；编辑于星期一\17点35分 1.8.1 静电感应晶体管 1.8.2 静电感应晶闸管 1.8.3 MOS控制晶闸管 1.8.4 集成门极换流晶闸管 1.8.5 功率模块与功率集成电路 1.8 、其它新型电力电子器件 第1章 本文档共34页；当前第6页；编辑于星期一\17点35分 1.8.2 静电感应晶闸管（SITH） SITH是两种载流子导电的双极型器件，具有电导调制效应，通态压降低，通流能力强； 优点：与GTO相比，SITH的通态电阻小、通态压降低、开关速度快、损耗小、di/dt及du/dt耐量高等； 应用：应用在直流调速系统，高频加热电源和开关电源等领域； 缺点：正常导通型，也有正常关断型；电流关断增益小；制造工艺复杂，成本高； 第1章 本文档共34页；当前第7页；编辑于星期一\17点35分 1.8.1 静电感应晶体管 1.8.2 静电感应晶闸管 1.8.3 MOS控制晶闸管 1.8.4 集成门极换流晶闸管 1.8.5 功率模块与功率集成电路 1.8 其它新型电力电子器件 第1章 本文档共34页；当前第8页；编辑于星期一\17点35分 1.8.4 MOS控制晶闸管（IGCT/GCT） IGCT ：（Integrated Gate-Commutated Thyristor） 也称GCT（Gate-Commutated Thyristor）集成门极换流晶闸管。 20世纪90年代后期出现。结合了IGBT与GTO的优点，容量与GTO相当，开关速度快10倍，且可省去GTO庞大而复杂的缓冲电路，只不过所需的驱动功率仍很大； IGCT可望成为高功率高电压低频电力电子装置的优选功率器件之一。 第1章 本文档共34页；当前第9页；编辑于星期一\17点35分 1.8.1 静电感应晶体管 1.8.2 静电感应晶闸管 1.8.3 MOS控制晶闸管 1.8.4 集成门极换流晶闸管 1.8.5 功率模块与功率集成电路 1.8 、其它新型电力电子器件 第1章 本文档共34页；当前第10页；编辑于星期一\17点35分 1.8.5 功率模块与功率集成电路 20世纪80年代中后期开始，模块化趋势，将多个器件封装在一个模块中，称为功率模块。 可缩小装置体积，降低成本，提高可靠性。 对工作频率高的电路，可大大减小线路电感(引线短)，从而简化对保护和缓冲电路的要求。 将器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息电子电路制作在同一芯片上，称为功率集成电路（Power Integrated Circuit——PIC）。 三大障碍：电绝缘（高低压）、热绝缘（器件发热对控制电路有影响），防电磁干扰（开关速度快时） PIC （Power Integrated Circuit）： 第1章 本文档共34页；当前第11页；