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本实用新型公开一种CMOS器件，包括第一级单管放大器、第二级单管放大器及反相器，其中，所述第一级单管放大器和第二级单管放大器中的栅极均为八角环形栅结构并包围漏极，所述第一级单管放大器和第二级单管放大器中的源极位于所述栅极外围。本实用新型中两个单管放大器均采用环栅结构，可以完全避开场区，能够消除器件场区边缘辐射寄生漏电，并且不影响器件亚阈值区的特性，适合考察材料的特性，减小电应力，增强了抗总计量辐射能力；两个单管放大器后面连接反相器，使整个结构输入与输出为同相，起到了加宽电压输入作用。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210669996 U
(45)授权公告日
2020.06.02
(21)申请号 20192
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