热释光辐射剂量测量.docx

热释光辐射剂量测量 学院:理工学院专业:核工程与核技术学号实验人:赖滔合作者:麦宇华 一、 实验目的 1、 了解热释光测量仪的工作原理，并掌握热释光测量仪的正确使用方法； 2、 测量分析 Al O :C 元件的发光曲线，了解发光曲线的意义； 2 3 3、 了解热释光剂量计的温度稳定性； 4、 测量 Al O :C 元件的剂量响应曲线； 2 3 5、 测量未知剂量的热释光曲线，确定其照射剂量。 二、 实验原理 1、 热释光 物质收到电离辐射等作用后，将辐射能量储存于陷阱中。当加热时，陷阱中的能量便以 光的形式释放出来，这种现象称为热释发光。具有热释发光特性的物质称为热释光磷光体（简称磷光体），如锰激活的硫酸钙[CaSO (Mn)]、镁钛激活的氟化锂[LiF(Mg、Ti)]、氧化铍[BeO] 4 等。 磷光体的发光机制可以用固体的能带理论解释。假设磷光体内只存在一种陷阱，并且忽略电子的多次俘获，则热释光的强度 I 为： I=nSexp(- ) 这里，S 为一常数，k 是波尔兹曼常数，T 是加热温度(K)，n 是所在考虑时刻陷阱能级ε 上的电子数。强度 I 与磷光体所吸收的辐射能量成正比，因此通常用光电倍增管测量热释光的强度就可以探测辐射及确定辐射剂量。 2、 发光强度曲线 热释光的强度与加热温度（或加热时间）的关系曲线叫做发光曲线。如图1 所示。警惕受热时，电子首先由较浅的陷阱中释放出来，当这些陷阱中储存的电子全部释放完时，光强 度减小，形成图中的第一个峰。随着加热温度的增高，较深的陷阱中的电子被释放，又形成 了图中其它的峰。发光曲线的形状与材料性质、加热速度、热处理工艺和射线种类等有关。 对于辐射剂量测量的热释光磷光体，要求发光曲线尽量简单，并且主峰温度要适中。 发光曲线下的面积叫做发光总额。同一种磷光体，若接受的照射量一定，则发光总额是 一个常数。因此，原则上可以用任何一个峰的积分强度确定剂量。但是低温峰一般不稳定， 有严重的衰退现象，必须在预热阶段予以消除。很高温度下的峰是红外辐射的贡献，不适宜 用作剂量测量。对 LiF 元件通常测量的是 210°C 下的第五个峰。另外，剂量也可以与峰的高度相联系。所以测量发光强度一般有两种方法： 峰高法：测量发光曲线中峰的高度。这一方法具有测速快、衰退影响小、本底荧光和热辐射本底干扰小等优点。它的主要缺点是，因为峰的高度是加热速度的函数， 所以加热速度和加热过程的重复性对测量带来的影响比较大。 光和法：测量发光曲线下的面积，亦称面积法。这这一方法受升温速度和加热过程重复性的影响小，可以采用较高的升温速度，并可采用测量发光曲线中一部分面积的方法（窗户测量法）消除低温峰及噪声本底的影响。它的主要缺点是受“假荧光” 热释光本底及残余剂量干扰较大。所以在测量中必须选择合适的“测量”阶段和“退火”阶段的温度。合理地选择各阶段持续时间，以保证磷光体各个部分的温度达到平衡，以利于充分释放储存的辐射能量。 3、 热释光探测器的剂量学特性 灵敏度：指单位照射量的热释光响应。它与元件热时光材料性质和含量、激活剂种类、射线能量和入射方向、热处理条件等有关。一般原子序数较高的元件，灵敏度提高。 照射量相应：在照射量 10-3 仑-103 仑范围内，许多磷光体对辐射的响应是线性的。当照射量更大时，常出现非线性现象。 能量相应：即热释光灵敏度与辐照能量的依赖关系。它与元件材料的原子序数、颗粒度、射线种类有关。一般原子序数高的元件比原子序数低的元件能量响应差，因此使用时需要外加过滤器进行能量补偿。LiF 元件在能量大于 30keV 情况下，在 25% 的精度内对能量的依赖性很小。 衰退：指受过辐照的磷光体，热释光会自行减弱。衰退的快慢与磷光体种类、环境温度、光照等因素有关。如果测量 LiF 的主峰，在室温下可以保存几十天。 光效应：指磷光体的热释光在可见光、紫外光的作用下可产生衰退和假剂量两种效 应。它的强弱与磷光体的种类、辐照历史等有关，如 LiF 的光效应小，而 MgSiO (Tb) 4 的光效应比较大，所以在使用中应注意光屏蔽。 重复性：热释光元件可以重复使用，但发光曲线形状、灵敏度等在测量加热过程或者长期存放中会发生改变，因此在重复使用时，一般需进行退火即再生，退货条件必须认真选择，并定期进行刻度。 分散性：指同一批探测器在相同退火、照射和测量条件下，热释光灵敏度的相对偏 差（以百分数来表示）。实际上，它除了与探测器灵敏度的分散性和重复性有关外， 还包括了测量系统的涨落和操作的不重复性。因此，使用前应进行探测器分散性的 筛选，分组作出修正系数。在测量过程中还应尽量保证测量系统的稳定性和操作技 术的重复性。 本底：通常将未经人为辐照的元件的测量值统称为本底（或“假荧光”）。它包括元件表面与空