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高k栅介质AlGaNGaN MOS-HEMT器件性能研究的中期报告
本报告介绍了对高k栅介质AlGaNGaN MOS-HEMT器件性能的研究进展。主要内容包括以下几个方面：
1.实验制备
采用分子束外延法（MBE）生长AlGaN/GaN异质结样品，并在其中形成了门极和源漏极电极。利用原子层沉积（ALD）技术制备了HfO2栅介质。制备出多个测试器件，其中栅介质厚度、引出电极间距和门极电容等参数均有一定程度的变化。
2.器件特性测试
测试了多个器件的直流电学特性和交流电学特性。结果表明，引出电极间距增加会使漏电流增大，且电流噪声水平也会随之升高；门极电容增加会导致截止频率降低，频率响应变得较为平缓。同时，栅介质厚度的增加可以改善器件的高频性能。
3.分析讨论
通过对测试结果的分析讨论，得出以下几点结论：
（1）随着引出电极间距的增加，器件的漏电流增加，噪声水平也会随之提高，可见该因素对器件特性的影响较为显著。
（2）随着栅介质厚度的增加，器件的截止频率降低，表明器件的高频性能得到了改善。
（3）门极电容对器件的低频响应和截止频率都有明显影响，电容值越大则器件的低频响应越好，但截止频率也会降低。
综上所述，本研究为高k栅介质AlGaNGaN MOS-HEMT器件的性能研究提供了实验数据和分析结果，并为进一步优化器件性能提供了理论依据和实验基础。
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