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本实用新型提出一种内置肖特基结构的屏蔽栅型半导体功率器件，包括N－基片，其上表面开有若干个垂直沟槽，沟槽外围表面下方形成N+注入层，沟槽内填有绝缘介质层，且绝缘介质层内开有第一空腔和第二空腔，第一空腔、第二空腔内均填满导电多晶硅，沟槽及其外围表面上方覆盖绝缘介质层，绝缘介质层上覆盖金属层，金属层向下延伸至引线孔内，N+注入层下方、引线孔与沟槽之间形成相邻的P+注入层和P－注入层。本实用新型在续流时少子扩散大大减小，正向压降降低，反向恢复损耗小，快关速度及反向恢复软度提高，可靠性增加。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210607269 U
(45)授权公告日
2020.05.22
(21)申请号 20192
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