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本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构。所述半导体结构包括：衬底，所述衬底表面具有介质层；多个接触孔，所述接触孔贯穿所述介质层，所述接触孔的部分侧壁覆盖有第一隔离层，节点接触层填充于所述接触孔内并延伸出所述接触孔；空气间隔层，包括相互连通的刻蚀槽和空隙，所述刻蚀槽自所述节点接触层的顶面延伸至所述接触孔内，所述空隙位于相邻所述接触孔之间，所述刻蚀槽的侧壁覆盖有第二隔离层；第三隔离层，封闭所述刻蚀槽的顶部开口。本实用新型降低了半导体结构内部的寄生电阻，提高了芯片制造的良率。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210607254 U
(45)授权公告日
2020.05.22
(21)申请号 20192
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