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本申请属于半导体技术领域,提供了一种碳化硅基FINFET功率器件及其制备方法、芯片,通过在碳化硅衬底的正面依次外延生长N型漂移层以及P型开关隔离层,P型开关隔离层被电压信道层划分为第一开关隔离区和第二开关隔离区,在电压信道层上形成电流扩散层,并在电流扩散层两侧形成第一源极掺杂层、第二源极掺杂层、多个隔离结构以及多个栅区沟道结构,在栅区沟道结构上形成栅极金属层,通过栅极金属层以及鳍状结构的栅区沟道结构感应得到多条电流通道达到源极,并通过在电流扩散层上形成肖特基金属层,以最低的成本和芯片占用面积在器
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116844963 A
(43)申请公布日 2023.10.03
(21)申请号 202310953187.6
(22)申请日 2023.07.31
(71)申请人 深圳天狼芯半导体
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