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本发明提供了一种倒装结构LED芯片及其制备方法,其中,制备方法包括:制备外延片,外延片表面包括发光区域和电极区域;对外延片的电极区域进行刻蚀至n型GaN层;于外延片的发光区域表面形成反射金属结构;于外延片表面形成绝缘层;对电极区域中n型GaN层表面的绝缘层进行刻蚀形成n型电极通孔,及对部分发光区域表面的绝缘层进行刻蚀形成p型电极通孔;对电极区域中n型GaN层表面的绝缘层进行刻蚀形成n型电极通孔中,包括采用等离子体对n型GaN层进行刻蚀的步骤;使用连接层分别将n型电极通孔和p型电极通孔连接起来,形
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116845146 A
(43)申请公布日 2023.10.03
(21)申请号 202310694213.8
(22)申请日 2023.06.13
(71)申请人 晶能光电股份有限公司
地址 33
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