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分立器件和集成电路制造工艺流程
分立器件和集成电路制造工艺流程简介
a wafer
硅锭 切片、磨
经过二十-三
片、抛光 十道工序
芯片 芯
芯片组装 分割 片
· · · ·
· · a
· · · · 制
· · · · · · • chip 硅片 造
· · · ·
· ·
· ·
•
· · · · 测试
· · · ·
成 · · · ·
· · · ·
测 ·· · · · · · · 打印包
· · · ·
· · · · 装入库
·· · ·· ·
· ·
一. 硅外延平面晶体管的前道工艺流程
B E B
SiO2
N+ P
N-epi
+
N -sub
C
衬底制备 外延 一次氧化 基区光刻
发射区扩散 发射区光刻 二次氧化 基区制备
三次氧化 引线孔光刻 电极制备
二. 双极型集成电路工艺流程
1.集成电路的概念
• 集成电路:Integrated Circuit,缩写IC
通过一系列特定的加工工艺,将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电
容等无源器件,按照一定的电路互连,“集成”在一块半导体单晶片(
如硅或砷化镓)上,封装在一个外壳内,执行特定电路或系统功能的复
杂电子系统。
2.双极型集成电路工艺流程
E B C
SiO2
N+ P+
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