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实施方式提供半导体装置以及半导体电路,其包含具有IGBT和二极管的RC‑IGBT,能够减少导通损失。实施方式的半导体装置具备:晶体管区域,其包含第一沟槽、设于第一沟槽之中的第一栅极电极、第二沟槽、设于第二沟槽之中的第二栅极电极、第三沟槽和设于第三沟槽之中的第三栅极电极;二极管区域,其包含第五沟槽和设于第五沟槽之中的导电层;边界区域,其包含第四沟槽和设于第四沟槽之中的第四栅极电极,设于晶体管区域与二极管区域之间;第一电极焊盘,其与第一栅极电极电连接;第二电极焊盘,其与第二栅极电极电连接;以及第三电
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116825832 A
(43)申请公布日 2023.09.29
(21)申请号 202210804669.0
(22)申请日 2022.07.08
(30)优先权数据
2022-045799 202
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