原创力文档- 1、本文档共8页，其中可免费阅读7页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
- 2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
- 3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明实施例提供的一种碳化硅二极管，包括：阴极金属层；位于所述阴极金属层之上的n型碳化硅层；位于所述n型碳化硅层内的若干个沟槽，所述沟槽的内壁截面成弧形；位于所述n型碳化硅层内且位于所述沟槽下方的p型掺杂区；覆盖所述n型碳化层的表面及所述沟槽内壁的阳极金属层。本发明在不提高碳化硅二极管芯片面积的条件下可以显著增加肖特基接触面积，在保持碳化硅二极管反向漏电不变的情况下能够降低碳化硅二极管的正向压降，从而提高碳化硅二极管的开关效率并降低能耗。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116825803 A
(43)申请公布日 2023.09.29
(21)申请号 202210276766.7
(22)申请日 2022.03.21
(71)申请人 苏州东微半导体股份有限公司
地址
文档评论（0）