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学会看MOSFET数据手册 MOS管数据手册上的相关参数有很多 ，以MOS管VBZM7N60为例 ，下面一起来看一 看 ，MOS管的数据手册一般会包含哪些参数吧。 极限参数也叫绝对最大额定参数 ，MOS管在使用过程当中 ，任何情况下都不能超过下 图的这些极限参数 ，否则MOS管有可能损坏。 VDS表示漏极与源极之间所能施加的最大电压值。 VGS表示栅极与源极之间所能施加的最大电压值。 ID表示漏极可承受的持续电流值 ，如果流过的电流超过该值 ，会引起击穿的风险。 IDM表示的是漏源之间可承受的单次脉冲电流强度 ，如果超过该值 ，会引起击穿的风 险。 EAS表示单脉冲雪崩击穿能量 ，如果电压过冲值(通常由于漏电流和杂散电感造成)未 超过击穿电压 ，则器件不会发生雪崩击穿 ，因此也就不需要消散雪崩击穿的能力。 EAS标定了器件可以安全吸收反向雪崩击穿能量的高低。 PD表示最大耗散功率 ，是指MOS性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率 ，使用时 要注意MOS的实际功耗应小于此参数并留有一定余量 ，此参数一般会随结温的上升而 有所减额。 （此参数靠不住 ） TJ, Tstg ，这两个参数标定了器件工作和存储环境所允许的结温区间 ，应避免超过这 个温度 ，并留有一定余量 ，如果确保器件工作在这个温度区间内 ，将极大地延长其工 作寿命。 dV/dt反映的是器件承受电压变化速率的能力 ，越大越好。对系统来说 ，过高的 dv/dt必然会带来高的电压尖峰 ，较差的EMI特性 ，不过该变化速率通过系统电路可 以进行修正。 热阻表示热传导的难易程度 ，热阻分为沟道-环境之间的热阻、沟道-封装之间的热 阻 ，热阻越小 ，表示散热性能越好。 △VDS/TJ表示的是漏源击穿电压的温度系数 ，正温度系数 ，其值越小 ，表明稳定性越 好。 VGS(th)表示的是MOS的开启电压(阀值电压) ，对于NMOS ，当外加栅极控制电压  VGS超过 VGS(th) 时 ，NMOS就会导通。 IGSS表示栅极驱动漏电流 ，越小越好 ，对系统效率有较小程度的影响。 IDSS表示漏源漏电流 ，栅极电压 VGS=0 、 VDS 为一定值时的漏源漏流 ，一般在微 安级。 RDS(ON)表示MOS的导通电阻 ，一般来说导通电阻越小越好 ，其决定MOS的导通损 耗 ，导通电阻越大损耗越大 ，MOS温升也越高 ，在大功率电源中 ，导通损耗会占 MOS整个损耗中较大的比例。 gfs表示正向跨导 ，反映的是栅极电压对漏源电流控制的能力 ，gfs过小会导致 MOSFET关断速度降低 ，关断能力减弱 ，过大会导致关断过快 ，EMI特性差 ，同时伴 随关断时漏源会产生更大的关断电压尖峰。 Ciss表示输入电容 ，Ciss=Cgs+Cgd ，该参数会影响MOS的开关时间 ，该值越大 ，同 样驱动能力下 ，开通及关断时间就越慢 ，开关损耗也就越大。 Coss表示输出电容 ，Coss=Cds+Cgd ；Crss表示反向传输电容 ，Crss=Cgd(米勒电 容)。这两项参数对MOSFET关断时间略有影响 ，其中Cgd会影响到漏极有异常高电压 时 ，传输到MOSFET栅极电压能量的大小 ，会对雷击测试项目有一定影响。 Qg、Qgs、Qgd、td(on)、tr、td(off ）、tf这些参数都是与时间相互关联的参数。 开关速度越快对应的优点是开关损耗越小 ，效率高 ，温升低 ，对应的缺点是EMI特性 差 ，MOSFET关断尖峰过高。 IS 、ISM这些参数如果过小 ，会有电流击穿风险。 VSD、trr如果过大 ，在桥式或LCC系统中会导致系统损耗过大 ，温升过高。 Qrr该参数与充电时间成正比 ，一般越小越好。