东北大学数电第六章半导体存储器演示文稿.pptVIP

EPROM举例——2764 本文档共53页；当前第27页；编辑于星期一\8点47分 2、E2 PROM 第6章 半导体存储器 特点： 用电气方法在线擦除和编程的只读存储器。 存储单元采用浮栅隧道氧化层MOS管。 写入的数据在常温下可以保存十年以上，擦除/写入次数为 1万次～ 10万次。 因擦除改写时间较长，一般作为只读存储器用。 本文档共53页；当前第28页；编辑于星期一\8点47分 图6-6 浮栅隧道氧化层MOS管结构及符号 氧化层极薄的隧道区，存在电容。 2、E2 PROM 第6章 半导体存储器 当GC与D之间加高压时(可正可负)，薄氧化层被击穿，形成导电隧道，漏区电子可以到达浮栅(GCD间加正电压)，浮栅电子也可以到达漏区(GCD间负电压)，因此写入和擦除都可以通过电信号来实现。 本文档共53页；当前第29页；编辑于星期一\8点47分 图6-7 存储单元 根据浮置栅上是否有电荷来区分1和0。 2、E2 PROM 第6章 半导体存储器 本文档共53页；当前第30页；编辑于星期一\8点47分 3．快闪存储器(Flash Memory) 采用与EPROM中的叠栅MOS管相似的结构，同时保留了E2PROM用隧道效应擦除的快捷特性。理论上属于ROM型存储器；功能上相当于RAM。 擦除和改写电压较E2PROM小，且擦除时间短。集成度高、容量大、成本高、使用方便，应用广泛。 第6章 半导体存储器 本文档共53页；当前第31页；编辑于星期一\8点47分 图6-8 快闪存储器中的MOS管及单元电路 （a） （b） 3．快闪存储器(Flash Memory) 浮栅与源区的重叠部分面积极小，形成隧道区的电容也很小， 所以，当控制栅和源极之间加电压时，大部分电压将降落在浮栅与源极之间的电容上。 第6章 半导体存储器 本文档共53页；当前第32页；编辑于星期一\8点47分 第6章 半导体存储器 用ROM实现组合逻辑 观察数据表，可发现此表与真值表相似。 地址相当于输 入，数据相当于输出； 且表中列出了输入变量的所有组合方式。 0 0 0 1 0 1 0 1 1 0 1 1 1 0 0 1 1 0 1 1 1 1 0 0 A1 A0 D3 D2 D1 D0 输入 输出 本文档共53页；当前第33页；编辑于星期一\8点47分 例6-1 试用ROM设计一个能实现函数y=x2的运算表电路，x的取值范围为0~15的正整数。 解：因为自变量x的取值范围为0~15的正整数，所以用4位二进制数表示，用B=B3B2B1B0表示，而 y的最大值是225，可以用8位二进制数Y=Y7Y6Y5Y4Y3Y2Y1Y0表示。 根据y=x2的关系可列出Y7、 Y6、Y5、Y4、Y3、Y2、Y1、Y0与B3、B2、B1、B0之间的关系如表6-2所示。 第6章 半导体存储器 本文档共53页；当前第34页；编辑于星期一\8点47分 例6-1 0 1 4 9 16 25 36 49 64 81 100 121 144 169 196 225 十进制数 注 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 1 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 1 1 0 0 1 0 0 1 0 0 1 0 0 0 0 1 1 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 0 1 0 1 1 0 0 1 0 0 0 1 1 1 1 0 0 1 1 0 0 1 0 0 0 0 1 0 1 0 1 0 0 1 1 1 0 0 0 1